《科创板日报》（编辑 郑远方），据台湾电子时报今日报道，存储芯片龙头厂美光、西部数据已将NAND闪存芯片价格上调约10%。业内人士指出，这将导致后续现货及合约市场价格攀升。
值得注意的是，台湾经济日报上周已报道称，美光已大幅调升NAND闪存芯片合约价及现货价，前者涨幅17%-18%、后者涨幅超25%。美光也由此成为调价幅度最高的厂商。
此外，群联此前也曾表示将跟进涨价。
不过，铠侠、三星电子与SK海力士尚未大幅调升报价。而内存模块制造商则选择观望，不愿抛售在手芯片库存。
实际上，近期的存储市场中，“涨价”是多项产品的主流趋势。
其中，3D NAND Flash芯片现货价格大幅反弹；512Gb TLC芯片价格已上涨6%至4.45美元，；256Gb芯片价格约涨7%，达2.30美元。同时，固态硬盘价格也在持续攀升，120GB、240GB SATA固态硬盘价格涨幅已超过3%。
闪存芯片价格此前持续下跌，如今扭转颓势逐步看涨，源头依旧是铠侠和西部数据合资厂原物料污染事件。
西部数据预计，这将拉开至少6.5EB的闪存供应缺口。台湾电子时报上述报道援引消息人士信息称，合资厂产能可能需等到今年Q3才能恢复正常；预计本次事件造成的供应短缺将从4月开始扰乱产业链。
而此前市场预计，Q2闪存芯片报价单季跌幅将扩大至5%-10%，但近期已调整为上涨5%-10%。
值得注意的是，近日俄乌冲突升级，引发产业链对半导体关键原材料的供应稳定性担忧。多数芯片制造厂商认为已有储备在手，预计事件短期影响有限。不过，前述消息人士却表示，“对不断上涨的制造成本抱有谨慎态度”。
