安森德ASDM30N90Q是中低压场效应管(MOS管)，可替代美国万代(AOS)的AONS36304。
ASDM30N90Q一般特征
●低门电荷
●先进的沟槽技术
●提供优秀的RDS(ON)
●高功率和电流处理能力
●提供DFN5*6-8封装
ASDM30N90Q主要参数
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：80A
功率(Pd)：65W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：2.12nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)：253pF@15V
工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
ASDM30N90Q应用
●负载开关
●PWM应用
●电源管理
AONS36304主要特征
类型：N沟道
漏源电压（Vdss）：30V
漏极电流(Id)：85A
工作温度：-50℃~+150℃@(Tj)
DFN5*6-8封装
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
