据中时新网报道，三星半导体先进制程量产进度传陷瓶颈，包括4纳米及3奈米制程良率均不如预期，市场传出预计今年量产的3纳米制程仅会提供给自家纳品，认为将使晶圆代工大厂台积电有望进一步取得高通等国际大厂转单。
报道引援韩媒Business Post消息，市场研究机构IC Knowledge指出，三星采用环绕闸极（GAA）电晶体架构的首代3纳米制程（3GAE）因遭遇良率问题，预期今年将首先应用于生产自家尚未命名的Exynos处理器，明年才以第二代制程（3GAP）替外部客户代工生产。
三星4纳米良率低，高通转单台积电
而DIGITIMES及外媒wccftech报导指出，三星的3纳米制程试产良率仅达10～20％，4纳米制程虽取得高通Snapdragon 8 Gen 1处理器订单，但该制程良率亦仅30～35％，远逊于台积电相同制程的70％。
wccftech认为，三星4纳米制程良率低于预期，可解释高通为何将Snapdragon 8 Gen 1和Snapdragon 8 Gen 1 Plus转单给台积电。若三星的第二代3纳米制程良率未见明显提升，高通恐不得不将Snapdragon 8 Gen2订单全数转单台积电生产。
台积电总裁魏哲家日前法说时透露，3纳米制程将如期于下半年量产，2纳米制程则预计2024年进入风险试产阶段、2025年量产。台积电3纳米制程仍采用鳍式场效（FinFET）电晶体制程架构，2纳米制程才导入采用GAA电晶体架构。
台积电稳了！死敌3纳米良率惨况曝光，难怪订单全被砍
台积电为全球晶圆代工龙头，后面有三星、英特尔等追兵紧跟，不过近期有外媒披露三星的制程良率报告指出，三星4纳米的良率仅35%，3纳米甚至只有10%至20%，种种状况让大客户高通不得不紧急抽单，转由台积电进行代工。
外媒wccftech报导，最新报告显示，三星不只在4纳米量产过程遇到困难，在3奈米GAA技术也遇到瓶颈，先前该公司虽展现在3奈米GAA技术的突破，但良率仅落有10至20%。
不仅如此，报导点出，三星4纳米制程虽然有35%良率，但是台积电4纳米制程的良率高达70%，相较之下，三星的良率依然是一个糟糕的数字，这也迫使高通决定抽单，将Snapdragon 8 Gen 1及Snapdragon 8 Gen 1+两款旗舰型处理器的代工订单交给台积电。
此外，若三星无法在3纳米量产时提高良率，即使高通要付出更多的生产成本，仍会继续选择台积电做为下一代旗舰型行动处理器Snapdragon 8 Gen 2的代工厂商。
目前传出三星3纳米制程被用来生产内部的产品，并以Exynos系列的行动处理器为优先。先前的报导则披露，三星正在为自家的智慧型手机研发全新的Exynos行动处理器，但当时并不确定是否会利用GAA技术的3纳米制程打造。
报道提到，目前没有消息证实台积电与三星遇到相同的状况，且藉由台积电4奈米制程打造的天玑9000行动处理器，经过测试后被认为是非苹果阵营中效能最为出色的处理器，这也证明台积电的代工实力与良率。
除了天玑9000的实测效能相当突出外，报导认为台积电一直生产出比其他晶圆代工厂商更为优异的晶片，这也让以苹果为首的科技公司持续向台积电下订，生产旗下大量的处理器订单。
