矽基氮化镓持续升级 与USB-PD快充协议相辅相成
来源:何致中发布时间:2022-04-201443浏览
询问 AI第三类半导体的宽能隙(WBG)特性受到各界重视,碳化矽(SiC)元件主要应用在车用、新能源车领域,氮化镓(GaN)可由矽基氮化镓(GaN-on-Si)制程与碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)制程生产,前者可望藉由矽基半导体厂较成熟的产能奥援,打入消费电子充电市场,后者则可藉由如三五族半导体业者产能,切入如5G基站RF通讯元件等领域。
最具「量能」前景的,消费电子快充趋势可说是站在浪头,不只IDM大厂抢先布局,台积电也在年报中指出第一代GaN-on-Si技术于2021年完成强化,支持客户多元市场应用,第二代GaN-on-Si技术平台正在开发中,预期2022年完成。
观察全球消费电子产品后市,半导体上下游普遍认为,2022年终端销售需求可能得打点折扣,毕竟在外在因素有通膨、疫情、战争等多重不确定性影响,不过,「技术升级」与「半导体含金量」的提升,仍将带动半导体产业前进。
功率元件供应链业者坦言,以手机、平板、NB等充电技术为例,因应5G、Wi-Fi 6/6E,及更强的主处理器都增加电力消耗,除芯片设计追求低功耗外,能够提升充电速率的快充技术越来越重要,现今有第三类半导体如GaN FET的加持,包括小米、三星电子(Samsung Electronics)、苹果(Apple),都开始积极试水温。
功率元件从根本上的技术质变,与USB-PD快充协议可说是相辅相成,也因此,搭配GaN功率元件的矽基USB-PD芯片、PMIC、MOSFET、配套的MCU等,这些都是IDM大厂,或是台系IC设计业者拉帮结派合作的范畴。
代理商如大联大投控等,携手美系功率元件大厂达尔(Diodes),推出可以搭配GaN FET的NB用适配器(Adapter)方案;伟诠电、力士等电源相关芯片业者,也持续打出组合拳,同样都看好快充趋势将随着第三类半导体进入市场。
由于快速充电、节能减碳等长期趋势,业界看好化合物半导体产业持续发展,其中第三类半导体GaN、SiC未来可望出现数倍的成长幅度。据PIDA调查指出,2022年第1季受惠于IDM厂及国内设计厂商扩大释出委外代工订单,台湾化合物半导体产业产值持续成长。
据统计,台湾化合物半导体产业在2022年第1季产值为新台币202亿元,相较2021年第1季产值196亿元相比,年成长率为2.7%。展望未来,由于节能减碳会是未来长期趋势,可以预期GaN及SiC需求将在未来几年出现数倍成长,多家台厂也开始进行长期扩充计划,未来在第三类半导体生产链可站稳一席之地。
责任编辑:朱原弘
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