工艺良率低于预期，三星3nm工艺或无法如期量产

在上周的财报会议上，台积电高层再度公开明确，3nm工艺制程一切如期，将在下半年投入量产。

听闻这一消息，相信作为首批客户的苹果、Intel等自然是喜上眉梢，而竞争对手三星那边厢，恐怕是心情复杂。

据Digitimes，三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期，这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产。

所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管，它取代的是FinFET(鳍式场效应晶体管)，前者可以实现四边充当电流通道，二者则只有三边。

三星本来想着通过抢占技术制高点“降维”打击台积电，没想到后者坚持在3nm使用FinFET后，结果更务实。

今年早些时候曾有报道称，半导体设备巨头Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蚀刻相关的机器，三星希望在上半年完成全套工艺的质量验证。