集微网消息，据数据统计，2018年进口半导体金额为3800多亿，其中近三分之一来源于存储器产品，其中大部分都是从韩国厂商进口的。近两年，在国家政策的扶持以及厂商自研芯片的热潮下，逐渐有了起色，国内存储厂商，如兆易创新等不断向存储市场更广的领域布局。
12月10-11日，在第26届中国集成电路设计业2020年会暨重庆集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2020）在重庆召开，兆易创新受邀参加此次ICCAD，兆易创新FLASH BU市场部经理薛霆发表了《新成熟工艺下的SPI NOR和SLC NAND》的演讲。
兆易创新存储事业部市场经理薛霆
据悉，兆易创新成立于2005，是一家领先的无晶圆厂半导体公司，致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。在2016年上市后，兆易创新凭借自身的不断开拓和资本的力量，发展成为集存储器、微控制器、传感器于一体的领先的半导体解决方案供应商。
据了解，目前兆易创新的存储器产品主要分为SPI NOR、SLC NAND和DRAM。NOR是代码型存储芯片，这也是兆易创新第一颗产品，SLC NAND是数据型存储芯片，DRAM是更高级别的系统级存储芯片
存储业务发展迅猛
上市次年，国家大基金入股兆易创新并成为其第二大股东，同年10月，兆易创新与合肥产投签订先进DRAM合作项目，DRAM业务开始。
近年来，随着TWS耳机、物联网等新兴应用领域发展，让低功耗、高性价比NOR Flash产品受到下游应用的青睐。而在赛普拉斯和美光于2017年转向工控和汽车领域后，兆易创新等本土企业的存储业务实现了快速增长。
2019年，兆易创新业绩取得重大突破，实现营收32.03亿，相比前年增长近10亿元。出货量方面，兆易创新在SPI NOR Flash领域全球排名第三，Flash累计出货超130亿颗；32-bit ARM Cortex MCU 累计出货超4亿颗。
值得一提的是，在SPI NOR Flash领域，兆易创新的全球市场份额连续7年占据前三。据Web-Feet Research数据显示，2018年兆易创新的SPI NOR Flash全球市场份额为14.2%，到了2019年，兆易创新的市占率提高至17.2%。
新成熟工艺下的SPI NOR和SLC NAND
从2008年，兆易创新推出国内首款180nm SPI NOR FLASH至今，其NOR FLASH产品已经历了多次迭代发展。2013年，兆易推出国内首款65nm SPI NOR FLASH；随后，兆易创新在2019年推出国内首款55nm SPI NOR FLASH。
55nm SPI NOR相对于65nm产品的优势主要有三方面：性能更高，可支持的最大频率提高80%；功耗更低，读功耗更低，最低可降低50%；封装更小，同等容量，可支持更小的封装。
目前，兆易创新SPI NOR Flash 产品路线图按电压等级可分为1.2V、1.65V~3.6V、1.8V和3V，产品容量覆盖了512K~2Gb范围。
薛霆认为，SPI NOR Flash的发展趋势将朝着高性能、低功耗、高安全性和小封装方向发展。兆易创新的高性能产品包含LF/F 、LT/T 以及LX/X 等支持DTR功能的产品系列。值得一提的是，LX/X 系列的Throughput（带宽）最高可达400MB/s。低功耗产品有LE系列、WD/WQ 系列和UE 系列；高安全性方面有LR/R 系列；小封装有USON8和WLCSP等。
在NAND产品方面，2020年，兆易创新取得了重要突破，量产24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品，实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化。24nm SLC NAND新成熟工艺相比38nm工艺产品而言，Die Size显著缩小，成本更优化，一次性缓存数据量更多。
在产品不断迭代发展背后，是兆易创新百人级规模工艺研发人员的不断努力。据薛霆表示，“55nm SPI NOR开发3年，24nm SLC NAND开发4年，投入了大量的研发资源，在不断的打磨和工艺验证中，兆易创新用高于JEDEC标准的量产要求以保证产品的可靠稳定。”
兆易创新SLC NAND FLASH产品路线路按接口类型可分为SPI Interface GD5Fx和ONFI Interface GD9Fx系列，产品容量覆盖了1Gb~8Gb范围且全系列支持1.8V和3.3V两种电压范围。目前，24nm新工艺的4Gb和8Gb产品已量产，同时正开发1Gb和2Gb相对应的SLC NAND产品。
(校对/Arden)
