台积电：2nm芯片将于2025年投产 首次使用GAA技术

第一季度财报电话会议上，台积电报告称正全力以赴地开发下一代工艺节点。这家半导体巨头计划在今年晚些时候将投产首批 3 纳米工艺，并在 2025 年底前做好 2 纳米工艺的准备。

在本次电话会议上，高盛公司的分析师 Bruce Lee 向台积电首席执行官魏哲家（C.C. Wei）询问了 2 个问题。第 1 个问题是关于通货膨胀和整个经济，魏哲家回答说，台积电作为全球领先的代工企业，有能力应对市场的波动。

第 2 个问题则是询问了 2 纳米节点的时间表。魏哲家表示：“我们的 N2 开发正在进行中。......我们有信心，N2将继续保持我们的技术领先地位，支持客户的增长。而且我们仍然计划在2025年投产。预生产将在 2024 年开始”。

据悉，在 N2 上台积电首次使用 GAA FET(全环绕栅极晶体管)，逐渐取代 finFET (鳍式场效应晶体管)。三星已经开始使用他们版本的GAA，英特尔计划在2024年实施他们的版本。一位分析师向魏哲家询问此事，但他避而不答。

今年下半年，台积电将把N3工艺投入生产。一年后，或者可能更早，它将准备将N3E工艺投入生产，这是N3的"增强性能、功率和产量"版本。

台积电预测，HPC（高性能计算）将是其今年增长最快的领域。上一季度HPC产生了41%的收入，仅比智能手机产生的40%略高。物联网和汽车排在第三和第四位，分别创造了8%和5%的收入。