消息称三星称3nm制程良率过低，初期仅用于自家半导体生产

据韩媒报导，业界有消息称，指三星3nm制程商用化在即，但目前正苦恼良率过低等问题。此前有消息称，指三星4nm制程良率约30～35%，即将量产的3nm制程，其试产良率仅10～20%，离设定目标尚远。

2022年三星将率先进入3nm初期制程3GAE，主要用于自家半导体生产，而非用于外部客户的产品。此外，三星计划2023年进入3nm第二代3GAP制程，到时才有可能帮外部客户生产芯片。

三星3nm也将率先导入GAA技术，尽管速度比竞争对手略快，但三星仍有不少技术难关要克服，包括良率过低及量产延后等。尽管如此，三星3nm制程传在集积度、功耗等表现，较目前制程改善，产品集积度提升1.35倍，相同功率下，产品效能提升35%，使用相同功能时，功耗减少50%。

如按三星计划，成功从2023年开始进入3GAP制程，可能有利于在客户争取上；台积电预计在2nm制程导入GAA技术，是否会遇到跟三星类似的良率困境？值得持续关注。