《科创板日报》（上海，研究员 宋子乔）讯，6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）在江苏汾湖高新区举行8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式。由此，英诺赛科成为世界上第一家实现8英寸硅基氮化镓（GaN）量产的企业。
英诺赛科成立于2017年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业，采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC及射频RF器件，是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。
承担其8英寸硅基氮化镓芯片量产任务的是苏州一期项目，预计投资80亿元，2020年完成厂房建设及设备搬入，即日起开始大规模量产，投产后产能将逐步爬坡，2021年底产能可达6000片/月，2022年底项目全部达产后苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值150亿元，利税超15亿元。
与量产仪式一同举行的还有“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，以及研发楼奠基仪式。
国家集成电路产业投资基金股份有限公司（以下简称“大基金”）总裁丁文武、韩国SK集团大中华区总裁吴作义、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲、招银国际首席投资官王红波等人出席了此次活动。
大基金总裁丁文武表示，英诺赛科量产暨研发楼奠基，是中国在化合物半导体领域的重要里程碑。“我国化合物半导体产业正处于逐渐发展的阶段，需要产业链和社会各方的支持和协作，尤其在当前复杂的国际形势背景下，国内半导体产业在前所未有的市场机遇下更是面临严峻的发展形势，国内企业包括英诺赛科在内如何在这样的挑战下如何实现更好的发展是值得思考的问题。”
后摩尔时代第三代半导体市场空间巨大 国内厂商奋起直追
新材料是芯片制造工艺中的核心挑战，是芯片性能的提升的基石，材料环节创新被认为是超越摩尔定律相关技术发展的重点之一。
与前两代半导体相比，以GaN（碳化硅）、GaAs（砷化镓）、SiC（碳化硅）为代表的第三代化合物半导体物理特性优势明显，下游应用广泛，在5G基建、5G终端射频和新能源车等多重需端推动下，未来成长空间广阔。
据CASA Research数据，消费类电源、工业及商业电源、不间断电源UPS和新能源汽车为SiC、GaN电子电力器件的前四大应用领域，分别占比28%、26%、13%和11%。另据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。
从化合物半导体的市场竞争格局来看，目前化合物半导体产业链各环节以欧美、日韩和中国台湾企业为主，大陆企业在技术实力、产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距，市场话语权较弱。
以GaN为例，GaN器件产业链包括上游衬底及外延片、中游器件设计与制造和下游产品应用等环节，目前行业模式以IDM为主，但设计与制造环节已开始出现分工。其中，住友电工在GaN衬底领域一家独大，市场份额超过90%，外延片龙头包括IQE、COMAT等；GaN制造环节代表性企业包括稳懋、富士通和台积电，大陆方面以三安光电为代表。
东莞证券分析师罗炜斌、刘梦麟5月19日发布研报称，考虑到国家政策对第三代半导体的大力扶持，以及大陆厂商在第三代半导体领域上的布局奋起直追，国内市场空间广阔，相关厂商有望迎来较好的发展机遇。
国内公司中，闻泰科技旗下子公司安世半导体的氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利；
三安光电的化合物半导体业务在2020全年和1Q21的营收分别同比增长305%和146%。公司有35家碳化硅二极管量产客户，30多种产品批量量产，2款产品通过车载认证；已量产4家客户的硅基氮化镓功率器件；
华润微国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线开始量产，第二代SiCJBS产品已经产出样品，GaN器件也取得进一步突破。
