来源：21世纪经济报道
原标题：第三代半导体领涨：投资火热产业链扩产潮涌
第三代半导体是近两年半导体圈内热词。随着特斯拉Model 3逆变器逐渐改采碳化硅器件、国产手机品牌采用氮化镓充电器，第三代半导体的应用规模正加速成长，也进一步受到资本市场青睐。
6月17日，第三代半导体概念在资本市场领涨，截至当日收盘，Wind第三代半导体指数上涨10.83%，聚灿光电股价上涨20.01%、华润微上涨19.13%、扬杰科技上涨12.68%，三安光电、乾照光电、北方华创等多股涨停。
TrendForce集邦咨询方面向21世纪经济报道记者表示，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。由于受到车用、工业与通讯需求助力，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以氮化镓功率器件的成长力道最为明显，预估其今年市场规模将达6100万美元，年增率高达90.6%。
新基建推动需求爆发
虽然这一领域被大众称为第三代半导体，实际指的是材料层面的更新，它与第一代、第二代半导体并非替代关系，而是形成互补，三者特性各异、用途不同。
具体来看，第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。
第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中有优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展更为成熟。
目前来看，第三代半导体的火热，主要有两方面的力量推动。首先是应用场景的需求，尤其是在国内新基建的推动之下，5G通信、新能源汽车、航空航天等领域成为新的增长点，对于新材料的使用量也进入新爆发期。不过，需要指出的是，第三代半导体并非革命性的颠覆技术，但是应用市场空间巨大。
其次，当前半导体的自有产业链的打造刻不容缓，而目前使用第三代半导体的器件，量产制程并非先进制程，因此“卡脖子”的瓶颈小，更容易突围，并且国内更有机会与国外企业并驾齐驱，也被视为中国半导体产业突围的机会点。有业内人士向21世纪经济报道记者指出，第二代半导体的先进制程用到的材料复杂性和纯度要求都很高，相对而言第三代半导体在材料上更容易突破，面临的生态挑战也更小。
根据《第三代半导体产业发展报告（2020）》的统计数据，2020年，我国第三代半导体整体产值超过7100亿，其中电力电子及微波射频持续增长。
电力电子应用上，在新能源汽车应用的强力带动下，2020年国内碳化硅、氮化镓电力电子器件市场规模较上年同比增长90%。同时，2020年，PD快充市场爆发，国内手机厂商和电商共推出数十款氮化镓快充新品，同时笔电厂商也陆续进入。
射频应用方面，5G基站建设是关键驱动力量。2020年三大运营商宣布共完成80万座5G基站建设，带动国内氮化镓微波射频器件市场需求较上年同比增57.2%。
光电子应用方面，Mini-LED规模商业化应用已经开启，未来将进入家庭场景；Micro LED关键技术持续突破，但规模产业化应用尚需时日；新冠疫情的暴发为紫外LED行业创造了动力，“十四五”期间年均复合增长率有望达到41%。
国内布局企业超过百家
在市场驱动下，国内企业纷纷强化第三代半导体布局，并进行扩产，如天科合达、同光晶体、纳维科技、泰科天润、中电科55所、三安光电等纷纷扩产。
在产能供给方面，晶圆厂也在陆续扩产，集邦咨询指出，SiC器件部分，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体等已陆续开展8英寸衬底研制计划，但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。
与此同时，传统半导体企业也在积极布局第三代半导体，代表企业有华润微、闻泰科技、斯达半导体、比亚迪、赛微电子等。
据亚化咨询不完全统计，近几年国内布局第三代半导体产业的企业超过百家，仅2021年5月签约的第三代半导体相关项目就将近5个。
记者从半导体投资人士处了解到，目前看到的一些第三代半导体项目基本上估值都非常高，但从业务量看，并没有和估值特别匹配，所以也会纠结考虑，有一些机构布局得早，比如4~5年前开始部署，还是有不错的回报。
尽管第三代半导体拥有诱人的潜力，但是当前仍处于发展初期，一位芯片设计行业人士向21世纪经济报道记者分析道，第三代半导体的成熟化商用还需要时间，目前还没看到包括设计等整个产业链生态转向第三代半导体，这涉及到整个行业的生产成本、价格等等，商业化需要过程。
据市场调研机构Yole数据显示，Cree | Wolfspeed、ROHM、Infineon、Mitsubishi和ST五家企业合计占有SiC功率半导体80%的市场份额，EPC、Transphorm、GaN system、Infineon四家企业合计占有GaN功率半导体90%的市场份额，住友电工、Cree | Wolfspeed和Qorvo三家企业合计占有GaN射频85%的市场份额。相比国外企业，国内仍有差距，并且国产化水平较低，存在低水平重复建设现象。
另一厢，国内也在技术、产业链上不断创新。以氮化镓相关专利为例，根据智慧芽数据显示，第三代半导体-氮化镓的相关专利在全球的申请总量为157439件，其中，在中国的申请量为41730件，排名第一。
整体来看，第三代半导体替代了部分功率器件，能否在集成电路产业中占据更多份额，还需要观察市场需求以及产业链的进一步发展。
