电子产业发展深度报告：日美电子贸易摩擦启示录

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一、前言

日本电子制造业部分细分行业的衰落受贸易摩擦影响有限，更多是因为日本企 业错失科技创新的浪潮以及不注重行业内水平分工。日美电子贸易摩擦从 1984 年持续 到 1991 年，措施上从限制专利输出到开征反倾销关税再到“最低价格协定”以及“最低市场份额协定”。贸易摩擦后日本电子行业出现两层分化，首先是低端组装业务开始海外迁移，只有集成电路和元器件在全球竞争力持续强势，另一层分化是集成电路行业内只 有设备与材料一骑绝尘，DRAM 等产品从全球霸主地位不断衰落。当前日本电子行业牢 牢把控着产业链的上游设备与材料环节，但是在中游制造以及下游组装环节节节败退，产业呈现空心化的格局。市场普遍认为其主要是受当年日美贸易摩擦的影响，我们认为日本本土电子制造业的中游制造以及下游组装的衰落一方面是因为日企主动向海外转移产能，另一方面日企注重垂直一体化的特点注定了其海外转移的程定满足不了全球经济一体化背景下追逐最低生产成本的需求。此外，日本电子制造业 的高端领域 DRAM 产品的失败也不能完全与贸易摩擦挂钩，尽管美国在贸易摩擦期 间针对日本 DRAM 产品多次发难，但是在 1991 年日美半导体贸易摩擦结束时日本 DRAM 仍然保有全球市场 60%左右的份额（最高时 80%），我们认为日本的失败一方 面受贸易摩擦的影响，但主要是因为日本 DRAM 企业专注于大型机用的 DRAM 产 品，而从 1990 年开始个人 PC 开始兴起，个人 PC 需要的 DRAM 与大型机的 DRAM 相差甚大，日企对个人 PC 的忽视，使得韩国 DRAM 厂商趁势崛起，并且敢于逆势 大幅度扩产，韩国DRAM厂商凭借低成本优势拿下了个人PC用DRAM第一把交椅。

乐观看待中美两国在电子制造业领域存在的差距。当前中美两国在电子制造业领域差距已经在不断缩小，目前在半导体领域，我们所需的设备与材料基本都依赖 进口，而当年日本 1976 年开始半导体的举国体制之前与中国当前情况类似，但是经 过多年的发展，1985 年贸易摩擦前的日本半导体企业已经基本实现了核心设备的自 制，甚至在部分核心产品上领先于美国同行量产上市。可以看出，同样在面对美国开打贸易摩擦时日美电子制造业的差距是小于中美之间的差距，值得欣慰的是，中国目前已经出现一批优质半导体公司，如中微公司、澜起科技、汇顶科技等。此外，日本半导体的举国体制之路给我们发展半导体制造提供了可复制的案例，我们应该 加大举国体制的力度，力争用最短的时间实现核心设备与材料的突破。

举国体制是发展高精尖制造业实现突围的有效方式。1976 年日本的“DRAM 制 法革新”项目下的“VLSI 技术研究所”共耗资 720 亿日元，其中政府出资 320 日元， 企业界筹集 400 亿日元，最后日本得以先于美国研发 64k 集成电路、256k 动态储存 器，完成对美国技术的赶超，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。包括韩国在 内也采用举国体制发展半导体，1983 年韩国公布“半导体工业振兴计划”，韩国政府 共投入了 3.46 亿美元的贷款，并激发了 20 亿美元的私人投资，促进了韩国半导体产 业的发展。当前中国也开启了扶持半导体大基金计划，且已经开启了第二期的投资，日本和韩国的例子证明举国体制是发展高精尖制造业的有效方式，中国的半导体大 基金计划对半导体的发展有实实在在的推动作用。

中国当前电子制造业主要是内需拉动，与日本高贸易依存度的需求结构相比有着更强的抵御贸易摩擦的能力。日本电子制造业对外贸易依存度远高于中国，日本 电子行业对外贸易依存度自 1950 年来一直呈上升态势，而中国的情况恰恰相反。1985 年贸易摩擦前日本电子制造业对外贸易依存度达到 56%，而当前中国电子制造业对 外贸易依存度仅为39.32%，08年金融危机之后中国电子制造业的出口比重一路下滑， 造成中国这一情况的原因是出口总额多年来没有上升，其中生产总额从 08 年来增幅 接近 300%，而出口总额增幅只有 40%，说明中国内需增长旺盛，内需消化的产值远 高于出口。1985 年之前日本之所以出现贸易依存度不断提高主要是因为出口增幅远 高于总产值增幅，1985 年的出口金额和总产值分别是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本维持零增长态势，但是生产总值在 2000 年达到顶峰后一路下滑， 导致贸易依存度被动性提高。

科创板开闸+大基金二期上马，中国版新型举国体制助力国产半导体，预计存储 产业有望率先突围。科创板推动优质半导体企业快速上市，大基金二期大手笔投资，大国重器加速突围。优质半导体企业如中微公司、澜起科技、沪硅产业通过在科创板快速上市募集资金，加速对各环节国际龙头企业的追赶。中芯国际也拟于科创板 上市及交易，中芯国际作为国内实力最强的晶圆制造厂，14nm 已开始量产，与台积 电、三星等国际巨头差距正逐步缩小，科创板上市有利于公司募资资金加速先进制 程的研发。

半导体行业自主可控是国家意志的体现，受到国家政策的持续加码支持。大基 金二期大手笔加持，大基金二期注册资本 2041.5 亿元，按照撬动比例 1:3 计算，所 撬动的社会资金规模可达 6000 亿元以上。与大基金一期总投资 1387 亿、撬动 5145 亿地方及社会资金相比，二期在资金规模上远超一期。

大陆存储产业呈现“大市场”+“低自给率”特征，新型举国体制下有望率先突围。 同时半导体设备及材料预计也将成为大基金二期投资的重点。存储领域国内 IDM 厂 商长鑫引领 DRAM、长存引领 NAND 产业崛起。设备端包括刻蚀设备商中微公司、 北方华创，测试设备商精测电子、长川科技，清洗设备商盛美半导体和至纯科技、 CVD 供应商沈阳拓荆等。材料端如硅片供应商沪硅产业、中环股份，靶材龙头江丰 电子，光刻胶供应商容大感光、南大光电，特种气体龙头华特气体、抛光垫供应商 鼎龙股份等，均有望得到大基金二期以及后续国家政策的大力支持率先突围。

二、占据产业链上游的日本电子制造业

当前日本厂商仍然持着电子制造业的上游关键环节，尤其是在核心元器件以及半导体设备与材料领域，日本厂商在全球依然有着最强竞争力，例如元器件领域有 村田以及 TDK，半导体设备领域有东京电子以及 DNS，材料领域有 SUMCO，这些 日本公司在各自领域几乎垄断了全球市场。

（一）日本电子制造业占据产业链上游

核心元器件以及半导体设备与材料领域，日本厂商在全球依然有着最强竞争力。近年来尽管日本电子终端产品在全球市占率较低，但是日本厂商仍然把持着电子制造业的上游关键环节，尤其是在核心元器件以及半导体设备与材料领域，日本厂商 在全球依然有着很强竞争力，例如元器件领域有村田以及 TDK，半导体设备领域有 东京电子以及 DNS，材料领域有 SUMCO，这些日本公司在各自领域几乎占据了全 球绝大部分的份额。

1、日本半导体产业：把控上游设备与材料

日本半导体产业整体呈衰退趋势。2018 年，全球半导体销售额达到 4779.4 亿美 元，年增长率为 15.9%，创历史新高，而日本地区半导体销售额为 335 亿美元，在世 界市场中的份额不足 8%，落后于韩国、中国等国家和地区。在 2018 年发布的半导 体企业排名中，日本企业仅有东芝在前十大供应商中占据一个席位，而在 1990 年的 前十大半导体厂商中，有六家是日本企业，日本企业萎缩明显。

日本在半导体设备和材料领域表现强劲。日本在芯片产品领域已经衰落，但是在芯片产业链的上游设备领域仍处在不可忽视的地位。在设备领域，近年来日本销 售额占全球市场销售额的比重能够维持在 10%左右。其中，TEL、日立高新、DNS 等企业占有举足轻重的地位。

除了在设备领域仍存在较大影响力之外，日本企业在半导体材料持续领先。日本半导体材料产业在贸易摩擦后继续保持强劲增长势头，市场占有率在随后的五年中继续扩大。而日本半导体材料产业发展至今，在世界半导体材料领域保持着绝对 优势，Si 晶圆、光罩等重要的半导体材料全球市场中占据了主要份额，Sumco、信越 等企业占据绝对的霸主地位。

2、日本元器件：村田、TDK 占据绝对领导地位

日本电子元器件总产值在整个日本电子行业中占比上升。日本电子元器件在日 本电子工业中占有重要地位，2019 年电子元器件产值达到 8.27 万亿日元，约占日本 电子行业总产值的 43.78%，且这一比例在过去十年时间里呈不断上升趋势的。

日本的电子元器件主要由集成电路、液晶装置、被动元件、分立半导体和连接 部件组成，其中 2019 年集成电路、液晶装置、被动元件在日本电子元器件产值中占 比分别为36.25%、13.92%和10.21%，分立半导体和连接部件也达到了9.95%、13.24%。

在被动元器件市场上，日本一家独大。日本最大三家的被动元件制造商村田、 TDK 和太阳诱电 2019 年被动元件的销售收入分别为 67.4 亿美元、45.93 亿美元和 18.04 亿美元，分别在全球被动元件市场中排第一、第二和第四，合计超过了 130 亿 美元，占据了一半以上的市场份额。

连接器市场竞争格局相对稳定，日本三家公司进入全球前十。在连接器上，根 据 Bishop and Associates 发布了一份新的全球 100 强电子连接器制造商榜单，日本共 有三家公司进入了前 10 名，分别是矢崎、日本航空电子和日本压着电子，分别排第 七、第八和第九名。对比 2004 年的市场占有率，日本的这三家公司稳定排在全球第 六到第十名之间。

半导体分立器件市场占有率不高，但相对稳定。日本是全球半导体分立器件厂商主力国，主要有东芝、瑞萨、罗姆、富士电机等半导体厂商，日本厂商在半导体分立器件方面具有较强竞争力且厂家众多，但很多厂商的核心业务并非半导体分立器件，使得日本半导体分立器件的市场占有率不高。日本半导体分立器件的代表性 企业日本罗姆，2018 年分立器件销售收入为 14.36 亿美元，2010 年以来市场占有率 徘徊在 6%左右，相对稳定。

3、日本 PCB 产业：巅峰已过，加速向海外转移

日本 PCB 产业景气高点已过。1990 年后随着日本电子制造业的崛起，全球 PCB产业开始向日本聚集，到了 2000 年日本 PCB 产值占全球比重达 28%。但是 2008 年 全球金融危机的冲击，同时日元的升值以及中国台湾、韩国、中国大陆地区的厂商 的崛起，日本 PCB 行业加速海外转移。

日本 PCB 产值中硬板占比最大， 各类 PCB 产品产值均在下滑。2019 年日本 PCB 总产值为 4438 亿日元，同比上年下降 7%，其中硬板产值为 2983.51 亿日元， 占 PCB 总产值 67%，同比下降 6.50%。从 2002 年到 2019 年整体来看，日本 PCB 产 值不断下滑，年复合增长率为-3.33%，其中硬板复合增长率为-3.25%，软板为-6.78%， 载板为-1.07%。

日本 7 家企业进入 2018 年全球 PCB 厂商前 30 名。根据 Prismark 2018 年全球 PCB 厂商前 30 排名，日本的旗胜、藤仓、揖斐电、名幸、住友电工、中央铭板、新 光电器排名全球第 2、11、13、14、17、21、30 名。

在软板（FPC）方面，日本处于行业领先地位，3 家企业进入全球前 10。根据 PCB 信息网的统计，2018 年全球 FPC 前 10 厂商中，日本的旗胜、住友电工、藤仓 分别排在第 2、第 4 和第 5 位。虽然软板在日本 2018 年 PCB 产生中占比仅 10.61%， 占比不大，且整个日本软板的产值也是逐年下降，但是日本的软板仍然处于全球软 板的领先地位。

在硬板方面，日本名幸在 2018 年全球 HDI 前 10 大厂商中排第 6。作为日本最 大的硬板厂商，名幸 2018 年 PCB 销售收入为 10.74 亿美元，同比增长 13.40%，在日 本前五大 PBC 厂商中是增速最快的。公司增长主要来源于汽车板市场需求的稳定增 长以及中国和韩国手机客户需求的增长。

4、日本面板行业：产能逐渐转移，仅剩 JDI 独自奋战

面板产业开始向中国转移，日本厂商逐渐衰落。1988 年，夏普推出了世界第一 台 14 英寸液晶显示器，这让日本几乎垄断了世界液晶面板产业，在 1990 年-1994 年， 日本在全球液晶面板产业的份额占比高达 90%-94%以上。随着韩国实行集中国家力 量进行超强投入进行创新的策略，韩国液晶面板逐渐实现了对日本的赶超，韩国三 星和 LG 在显示面板领域全面超过日本。

JDI 成为日本面板行业唯一厂商。随着日本面板行业的衰落，曾经的日本面板各 大厂商三洋电机、爱普森、NEC、东芝、索尼、日立、三棱也开始逐渐退出了面板 市场，曾经的行业巨头夏普也被鸿海收购，日本目前能实现量产的面板厂商只剩下JDI。

JDI 专注于中小尺寸面板市场。2017 年全球显示面板出货面积约 2.01 亿平米， 其中大尺寸面板出货面积合计约 1.81 亿平米，占比达到约 90%，中小尺寸面板出货 面积合计 0.2 亿平米。在大尺寸面板市场中，主要还是由韩国、中国大陆和中国台湾 的企业所瓜分，在中小尺寸面板市场中，韩国三星电子和 LGD 占据行业第 1、第 3， 日本 JDI 排名第 2。

OLED 时代，JDI 收入开始下滑。随着三星提前推出 OLED 面板，在各方面性 能上领先于 JDI 的液晶面板，全球高端手机开始选择使用 OLED 屏幕，JDI 因此受到 巨大冲击。JDI 一半以上的收入来自苹果手机，随着中国 LCD 面板厂商的崛起，苹 果手机销量的下跌，且 2017 年 iPhone X 也开始使用 OLED 屏幕，JDI 的收入进一步 下降。JDI 长期以来的亏损和只注重营业利润的企业文化导致了财务造假。2020 年 4 月对历年财务报告进行修正。

（二）日本电子行业分布：主要集中于九州岛

九州岛被称之为日本的“硅岛”， 是日本集成电路工业的重要基地。因为九州 岛富含硅片洗净工程所需超纯水（九州岛阿苏外轮山周边有丰富的泉水）、电力充足、 航空运输便利（九州岛现有 13 个机场）、税收政策对企业有利、生产成本较低等有 利条件吸引了大批半导体企业。从上个世纪 60 年代起，九州逐渐成为半导体企业群 聚的地区。东京电子、索尼、瑞萨科技、SUMCO 等都在九州设有生产基地。九州岛 半导体企业众多，且因为有知名大企业牵头，所以是拥有世界级尖端半导体技术的 地区。全球约有 15%的半导体硅片在九州生产，九州岛半导体年产值为日本全国年 产值的三分之一左右。

由于 IC 一般只使用飞机运输，以集成电路为主的九州岛的半导体企业及工厂一 般都是围绕主要城市和机场辐射分布。公路干线沿线、九州沿海也是半导体企业/工 厂设址地点。同时，九州岛半导体产业链完整，从 IC 设计到封装测试以及材料与设 备的供应，都有领域内重要企业设厂。

（三）日本电子制造业的转移：终端组装加速海外拓展，主要 流向东南亚国家

日本电子制造业早期并不注重地理上的水平分工，并且早期日本电子行业大量出口彩电、收音机等偏终端产品，这样的后果一方面是容易遭受反倾销和反补贴的 调查，另一方面也没有利用发展中国家的低成本劳动力优势。1960 年代为了躲避日 美彩电战，日本彩电企业曾开始在美国建厂，1980 年代半导体战之后日本加速对发 展中国家的投资，方向主要是中国以及东南亚国家。

三、贸易摩擦前日本电子制造业：腾飞的 30 年

日美贸易摩擦整体延续近 30 年，其中电子行业战争始于 1985 年，终于 1991 年。 广义层面看日美贸易摩擦肇始于 1960 年代，激化于 1970 年代，高潮于 1980 年代， 基本上跟日本制造业的重生、崛起、鼎盛三个阶段相契合，从 1960-1990 这三十多年 间，日美之间爆发了无数次贸易纠纷。

但是在行业层面看日美贸易摩擦在电子制造业领域开始于 1985 年之后，尤其是 在半导体领域。早期，日本凭借低价芯片对美国产业造成重大冲击，美国以反倾销、 反投资、反并购等手段进行贸易保护，最高时对相关产品加收 100%关税。因此本报 告所指贸易摩擦是指电子行业层面的贸易摩擦，相关时间节点以 1985 年为界。

（一）二战后初期，快速复苏

二战后，美国对日本的经济政策可以大致划为为三大阶段：1945-1950 年战争刚 刚结束阶段、1950-1985 年的冷战时期以及 1985 年开始冷战缓和时期。

战后初期（1945-1950） “1940 体制”+“道奇计划”，日本电子制造业快速复苏。

战后日本原材料奇缺、生产开工率低、物资供给匮乏并且通胀恶劣，为迅速度 过经济混乱和生产衰退的难关，日本政府在 1947 年到 1951 年推行著名的倾斜生产 方式，集中力量增加煤炭、钢铁等基础工业的生产，从而使得日本经济能重新进入 再生产的循环轨道，到 1948 年，工业生产指数已由战败初年的 30%左右上升到 60% 以上，严重的经济混乱、生产滑坡局面已经过去。我们把日本战后所使用的倾斜生 产以及特殊行业贷款政策等统称为“1940 体制”。但“1940 体制”后遗症也非常明显，其中最引人注意的就是通胀，在推行倾斜生产期间，尽管政府通过多种手段控 制物价上涨，通货膨胀率仍居高不下，两年间消费物价上涨 7 倍。

美国管制之下的驻日盟军总司令部在二战后占领了日本，美军对日本的扶持态度比较暧昧。美方考虑扶持日本战后复苏，但又怕日本工业迅速发展实现军事化。于是美方出台了旨在援助日本的道奇计划。道奇计划是当时占领日本军队的统治者为维持日本经济的稳定，平衡其财政预算，抑制通货膨胀而制定。计划最开始实行时日本经济遭遇了严重的衰退，但日本货币和物价也因该计划迅速趋于稳定，通货膨胀也得到了抑制，道奇计划的实施为之后的信贷和其他产业政策的实行提供了稳 定的宏观经济环境，有助于日本产业结构实现合理化、现代化。

尽管当时美国的援助计划没有特别针对电子制造业，但是占领军当局要求日本政府确保通信和交通事业的发展，并大力推动了电报电话和广播事业的复兴。当时 驻日同盟总部指定要求日本生产收音机，并且重建 NHK 成为特殊法人，同时，日本 民间广播事业也开始发展起来。得益于占领军的这一系列政策，日本电子产业开始 快速复苏。

（二）1950-1985，日本电子产业腾飞的 30 年

经过战后初期的复苏，日本电子制造业迎来了真正腾飞的30年。30多年的时间， 其产值从 1955 年的 0.02 万亿日元增长到 1985 年的 17.7 万亿日元，同期出口产值从 近乎为 0 增长到 9.9 万亿日元，贸易收支方面， 1955 年为贸易逆差发展到 1985 年 顺差 8.92 万亿日元，同期日本整体贸易顺差 10.87 万亿，电子制造业贡献了其中的 82%，足以证明到 1985 年电子制造业已经成为日本的支柱产业。

日本电子制造业取得的成就是辉煌的，但辉煌的原因在不同时间段却有很大的 不同，以 1970 为界可以分为上半场和下半场。

上半场：1950-1970

冷战背景下美国加大对日本援助。随着冷战的局面越来越紧张，特别是朝鲜战 争（1950-1953）的爆发，美国对日本政策发生巨大的变化，开始转变为支援日本的 产业发展。另一方面，朝鲜战争期间，日本作为西方势力最靠近战场的大本营，顺理成章成为了后勤基地，美国想要把日本发展成为物美价廉的工业产品供应地，使之服务于自身的军事目的。美国的态度转变对日本经济的复苏作用巨大，朝鲜战争 期间，美国因为战争需要在日本进行大量的订货，极大地促进了日本经济的增长。

一方面是军用订单的刺激，另一方面在民用电子领域日本趁势壮大。因为在二 战期间美国主要生产军用订单，所以靠进口才能满足民用电子订单的需求。1950 年 美国电子产业中民用电子产值为 15 亿美元，军用电子产值为 6.5 亿美元，然而 1957 年却逆转为 17 和 41 亿美元，美国产业政策的此次改变给日本民用电子产品进入美 国市场创造了条件。

下半场：1970-1985

15 年的时间，出口增加 11 倍。日本电子产业出口收支从 1970 年开始飙升，一 直到 1985 年达到顶峰， 1970-1985 的 15 年间，电子产业的产值增加了 5 倍，内需 增加了 3 倍，出口则增加了额 11 倍之多，可以说日本电子制造业在 1970 年后完全靠 出口实现了腾飞。

1970 年-1985 年电子行业出口大幅增长的同时日元的汇率在不断升值，日元兑美 元的汇率从期初的 360 升值到期末的 234，说明日本电子行业的出口并不是因为日元 汇率贬值所带动，相反，日本电子制造业公司需要不断降低成本以抵消日元升值带 来的下游国外客户采购成本上升。

产业结构转变，大力扶持半导体。上世纪七十年代至 80 年代中期，日本产业结 构巨变。原油进口量以及钢铁产量自 1973 年开始降低，而此时日本对硅的需求量逐 渐加大。以钢铁代表的“重、大”型产业日渐衰落，半导体等“轻、薄、小”型产 业飞速发展。上世纪 70 年代初微处理器的出现，引发了微型计算机的热潮，而半导 体内存是计算机的主要部件，于是半导体产业由此得以发展。1970 年到 1985 年之间 日本内存行业得到了迅猛发展，在一段时期内全球市占率高达 80%。回答日本内存 行业为什么能获得如此成就一定程度上可以解释日本电子制造业能够腾飞的原因。

举国体制加创新型模仿造就日本 DRAM 的辉煌。1970 年初，尽管日本可以生产 DRAM 芯片，但没有掌握关键的制程和设备。因此，1976 年在大藏省等多个部门的 协商下，日本开始实行“DRAM 制法革新”国家项目。由政府出资 320 亿，富士通、 NEC 等公司出资 400 亿，总共筹资 720 亿日元，目标是在短期内提高 DRAM 的制作 水准。国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”因此设立，该所是由日本电子综合 研究所和计算机综合研究所主导创办的。VLSI 技术研究所汇集了 800 多名技术精英 以研制日本产高性能 DRAM 制程设备，想要短期内实现 64K DRAM 和 256K DRAM 可实用性，并在 10 到 20 年之间实现 1M DRAM 的可实用性。

在产业化方面，日本政府为半导体企业，提供了高达 16 亿美元的巨额资金，包 括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造 DRAM 集成电路产业群。 到 1978 年，日本富士通公司研制成功了 64K DRAM 大规模集成电路。

创新型模仿，日本 DRAM 成功的又一关键。英特尔当初凭借 4KB DRAM 抢占 了超过 80%的市场份额，日本公司纷纷效仿，导致英特尔的市占率急转直下。后来 英特尔研发了 16KB DRAM（三电源供电）和 64KB DRAM（三电源供电），然而由 于跟风者不断追进，英特尔很难持续垄断市场。于是英特尔在 1979 年推出杀手锏产 品：单电源供电的 16KB DRAM，日本公司根本无从下手，所以该款 DRAM 产品在 发售时获得 100%市占率，然而，竞争对手纷纷模仿英特尔开发单电源 DRAM 产品， 最终英特尔的市占率跌到 10%左右，最后英特尔决定退出 DRAM 行业。英特尔的退 出造就了日本 1985 年取得全球 80%的巅峰市占率。

（三）对日本电子制造业取得成功的一点思考

纵观日本电子制造业在 1950-1985 年这 35 年间取得的成就，我们认为有几点值 得当前中国电子制造业思考与学习

起步低不代表长不大。日本电子制造业从 1950 年开始发展，在此之前从没有哪 一项电子技术是从日本起步，朝鲜战争爆发后日本的收音机出口开始迅猛增长，但 是让索尼引以为傲的晶体管收音机的核心晶体管技术也是索尼从美国购买，1959 年 德州仪器制作了世界上第一块集成电路，在美国企业一直认为晶体管已经成为过去， 集成电路才是未来的背景下日本自主研发了第一台晶体管计算机NEAC-2201并参加 巴黎万国博览会，但与美国同行差距仍然甚大。

日本的电子制造业正是从收音机开始做起，最后在半导体技术方面跻身全球一流。我们一直对当前中国电子制造业所从事的低端生产存有偏见，认为中国电子制造业就是以富士康为代表的产品组装，中国电子制造业的精密制造就是生产以线束连接器为代表的低端产品，但日本例子告诉我们起步低但依然可以通过后续追赶而 在全球市场拥有一席之地，中国智能机行业近年来的发展也证实这一可能。

模仿可以短期内获得最大的进步。日本 DRAM 行业发展壮大的历程告诉我们通 过模仿龙头产品，可以短期之内获得与龙头同台竞技的资格。此外，韩国 DRAM 也 是靠模仿日本而壮大，相信中国电子制造业在创新型模仿的战略下并结合自身实际， 可以迅速赶上龙头国家。

举国体制是发展高精尖制造业的有效方式。1976 年日本的“DRAM”制法革新 项目下的“VLSI 技术研究所”共耗资 720 亿日元，其中政府出资 320 亿，企业界筹 集 400 亿日元，最后日本得以先于美国研发 64k 集成电路、256k 动态储存器，完成 对美国技术的赶超，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。包括韩国在内也采用 举国体制发展半导体，1983 年韩国公布“半导体工业振兴计划”，韩国政府共投入了 3.46 亿美元的贷款，并激发了 20 亿美元的私人投资，促进了韩国半导体产业的发展。 当前中国也开启了扶持半导体大基金计划，已经开启了第二期的投资，日本和韩国的例子告诉我们对于落后者而言，举国体制是发展高精尖制造业的有效方式，中国 的半导体大基金计划对半导体的发展有实实在在的推动作用。

四、贸易摩擦后的日本电子制造业：开始分化

美国对日贸易摩擦的时间跨度大约为 1985～1991 年，从 1975 年～1991 年，美 国共向日本发起了 15 次 301 调查。在电子制造业领域美国对日本的贸易摩擦一直持 续不断，前有收音机进口数量限制后有彩电反倾销政策，但是美国对日本电子制造 业最担忧的也是贸易摩擦中最激烈的领域发生在半导体行业。

（一）美国对日贸易摩擦在电子制造业领域具体政策

1、起因：日本在全球半导体市场份额持续上升

在全球半导体市场上，美国半导体收入在全球半导体总收入中所占的比重由 1978 年的 55%下降到 1984 年的 30%，而同期日本由 28%上升到 46%，1985 年后， 日本的企业首次成为世界最大的半导体销售商，到 1986 年，世界半导体销量排行榜 前三位均为日本企业。此外，上世纪 80 年代，日本高科技出口已经超过进口，日本 电子计算机在美国市场的占有率由 1980 年的 1%增加到 1984 年的 7.2%，电子部件 由 3.2%上升到 7.2%。与此同时在机器人、集成电路、光纤通讯、激光、陶瓷材料等 技术方面处于世界领先水平。

2、美国对日半导体贸易摩擦措施：知识产权委员会+最低价格协定+超级 301 条款

1）1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。1983 年美国商务部认定，“对美国科技的挑战主要来自日本，目前虽仅限少数的高技术领域，但预计将来这种挑战将涉及更大的范围”，以后，美国就开始在高技术方面对日本采取防范措施， 并加大对知识产权的保护力度，1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。

2）1986 年初，日美两国签订了为期 5 年的《日美半导体保证协定》。在美国政 府强力施压之下，1986 年初日美两国签订了为期 5 年的《日美半导体保证协定》， 该协议的主要内容为：美国暂停对日本 DRAM 倾销诉讼，但作为交换条件，要求日 本政府促进日本企业购买美国生产的半导体，加强政府对价格的监督。

《协定》的具体内容包括：1）在市场准入方面：日本扩大外国半导体加入日本 市场的机会，要求在日本市场必须有 20%的美国半导体产品占有率； 2）在倾销方面， 美国暂停对 DRAM 的反倾销调查，并根据日本生产商提供的成本资料确立了外国市 场价格。当销售价低于外国市场价水平时，就可以断定该生产商正在以低于平均成 本的价格进行倾销(在美国的反倾销法中，允许加上 8%的边际利润)。

3）加征关税以及“超级 301”条款。1987 年 3 月，美国政府以日本未能遵守协 议为由，就微机等日本有关产品采取了征收 100%进口关税的报复性措施。1988 年美 国通过“综合贸易与竞争法”，祭出“超级 301”条款，使日本所有出口商品都处于 美国贸易制裁风险之中。1989 年美国认定日本在大型计算机、卫星和林业产品方面 封闭市场，动用“超级 301”条款进行调查。

4）新半导体协议。之后，日美两国政府于 1991 年 6 月签定了五年期的新半导 体协议，其主要内容为：扩大市场准入条款，削减并修改了反倾销条款。

具体内容为：1）在扩大市场准入条款方面：美国希望于 1992 年底以前外国半 导体产品在日本市场占有的份额能超过 20%；2）在反倾销条款方面：美国政府不再 从日本公司收集成本和价格资料，也不再为 DRAM 规定外国市场价值。但日本公司 应自己收集资料，以备在一旦发生反倾销调查时使用。

5）广场协定：日本 DRAM 成本优势不再的直接原因。尽管美国迫使日本签订 广场协定不是只针对半导体产业，但是不得不提广场协定对日本半导体的出口影响 是巨大的。1985 年 9 月，日元汇率在 1 美元兑 250 日元上下波动，在“广场协议” 生效后不到 3 个月的时间里，快速升值到 1 美元兑 200 日元附近，升幅 20%。1986 年底，1 美元兑 152 日元，1987 年最高达到 1 美元兑 120 日元。1985 年后日本电子 制造业的贸易顺差开始掉头向下，DRAM 产品的市场占有率也开始急剧下降，时间 点与广场协议签订时间高度相关。

（二）贸易摩擦后的日本电子制造业的两层分化

1、第一层分化：终端产品萎缩，零部件与设备占比提升

1985 年后集成电路、零部件出口持续增长，视频、音频、计算机持续萎缩。出 口是衡量一个国家某种产品在全球竞争力最有效的方式之一。我们对日本电子行业 每种细分品类在 1985 年之后的出口额进行了详细统计，以此来观察在 1985 年贸易 摩擦之后日本电子行业哪些产品衰落了，哪些产品竞争力提升了。从下图中可以看 出在 1985 年之后出口额能持续增长的只有集成电路产品，零部件产品在 1985 年后 2000 年之前仍然保持高速增长，视频产品、音响设备、计算机及相关设备等产品在 1985 年之后出口额持续萎缩。

零部件与设备成为出口创汇主力。1985 年之后日本电子制造业中零部件与设备 的产值占比持续提升，从 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%，出口创收占比更是 从不到 30%提升到接近 80%，同时占电子行业进口额的比重持续下降到 40%，说明 日本本土零部件与设备厂商的竞争力不断提升，不光实现了实现进口替代，更是成 为了出口创汇的主力产业。

2、第二层分化：半导体领域 DRAM 开始衰败，设备与材料兴起

除了终端电子产品之外，日本半导体领域也同样出现分化趋势。日本 DRAM 行 业在 1985 年之后在全球市场份额持续下滑，但是日本半导体行业中核心设备在全球 的份额持续提升，80 年代是日本半导体设备及材料崛起的黄金十年。在 1980 年全球 前十大半导体设备厂商中，美国占有 9 席，日本仅仅占 1 席；而到 1990 年全球前十 大厂商中，日本占有 5 席，美国占有 5 席。

根据 SEMI 的预测，在半导体材料领域，日本企业全球市场占有率约为 52%，其 中欧洲与北美占比都为 15%左右。在全球该领域中日本行业占据了绝对优势，此时 期日本半导体材料在光刻胶、模压树脂、硅晶圆、键合引线及引线框架等重要材料方面占了非常高的份额，日本半导体材料企业在全球行业中地位举足轻重。像日立 化学、京瓷化学、信越、三菱佳友株式会社 SUMCO、佳友电木等日本企业几乎垄断 了全球半导体材料。靶材领域，市场占有率超 90%的全球 6 大厂商中前两大就是日 本的厂商 Shin-Etsu 和 SUMCO，两家市场占有率合计超过 50%。硅片领域被日本信 越化学、三菱住友、中国台湾地区环球晶圆、德国世创和韩国 LG 五大供应商垄断， 全球硅片供应占比超 90%。其中日本的信越化学、三菱住友分别占比 27%、26%。

日本集成电路行业整体贸易顺差在 1985 年之后曾经历短暂快速下跌，主要是由 于之前顺差贡献的主力 DRAM 出现较大滑坡所致，但是日本集成电路行业并未一蹶 不振，从 87 年开始恢复增长一直持续到金融危机前的 2007 年，这其中设备和材料 的贡献功不可没。

（三）贸易摩擦加速了日本电子制造业的第一层分化，但并不 影响第二层分化

1、贸易摩擦的确加速了第一层分化

贸易摩擦后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件以及设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利进化的过程，日美贸易摩擦不 是这一进化的根本原因，但具有加速作用。1985 年之后日本电子制造业的贸易顺差开始急速下降，日本彩电以及曾经的贸易顺差主力产品 VTR 从 1985 年开始下滑。 日本电子制造业从彩电出口为主到液晶面板出口为主，从终端组装产品出口为主到集成电路出口占比持续上升，贸易摩擦后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件以及设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利进化 的过程。

我们认为日美贸易摩擦只是影响了日本部分终端产品的出口，相反，日美贸易摩擦却是日本电子制造业升级转型的催化剂。从一国产业发展规律来看，日本电子制造业的这一升级并不是遭受了贸易摩擦的日本一国独有的专利，从全球来看，虽然美国从来不是被贸易摩擦的国家，但是美国电子制造业的历史其实就是一部低端产品生产不断向日本以及亚洲四小龙再向东南亚国家迁移而美国本土制造业不断升 级的历史。只是因为贸易摩擦的影响使得日本电子制造业在 1985 年就开始被迫需要 升级。

2、第二层分化更深层次原因是其没有跟上科技产业创新潮流

日本 DRAM 行业的溃败最根本原因在于错过了个人 PC 的兴起。DRAM 是日本 半导体行业最具代表性的产品，考察日本 DRAM 产品的兴衰可以一窥日本半导体行 业的整体兴衰。日美半导体贸易摩擦在 1991 年以签订《新半导体保证协议》结束， 新条款当中对日本 DRAM 的最低价格决定者已经从美国变更为日本，由日本厂商参 考全球 DRAM 平均价格自行决定最低售价，相比由美国决定最低售价已经宽松很多， 但此时日本 DRAM 的全球市占率还有接近 70%，贸易摩擦可以解释日本 DRAM 市 占率从 80%下降到 70%，但是无法解释为何后来日本 DRAM 在全球的市占率从 70% 下降到 10%以及后续强强联合的尔必达的倒闭。我们认为日本 DRAM 行业失败的根 本原因在于日本厂商错过了个人 PC 的兴起。

日本 DRAM 厂商错失个人 PC 创新潮流。20 世纪 90 年代，电脑界开启了换代 潮流，从大型机向个人 PC 转变，这一换代也导致了 DRAM 需求的变化，DRAM 的 主力需求从大型机生产商向 PC 生厂商切换。伴随着这一转变，日本 DRAM 市占率 不断萎缩，韩国开始后来居上，在 1992 年超过日本成为霸主。主要是大型机和 PC 需要的 DRAM 规格是完全不同的，PC 需要的 DRAM 的制造要求就是低成本而不是25 年的质量保证，而韩国厂商生产的 DRAM 切合了低成本的要求最终打败了日本。

但是，处于潮流转变中的日本厂商肯定也感受到了 PC 的兴起，但日本厂商的追 求极致的文化告诉他们可以将大型机高质保要求的理念用于生产PC用DRAM当中， 于是日本厂商坚持生产 25 年质保的 PC 用 DRAM，而这种 DRAM 对于 PC 来说质量 明显过剩。结果，大量生产低成本 PC 用 DRAM 的韩国厂商崛起，而日本失去了霸 主地位。

日本半导体行业的文化过于追求极限。半导体制造需要精密的技术，而这些技 术并不是一朝一夕能形成的。当时 DRAM 多用于大型电脑和电话交换机设备，其立 下的技术标准是要求大型电脑用的 DRAM 有 25 年的质保，日本半导体制造商的工 匠精神生产出了这种可靠性要求极其严格的DRAM，由此日本DRAM开始横扫全球。

此时，在技术上追求极限，生产高品质的 DRAM 这一技术文化开始扎根于日本 半导体企业的方方面面，而这种技术文化正是日本半导体行业竞争力的源泉。

强强联合的尔必达也未能挽救日本的 DRAM 行业。1999 年底，日立和 NEC 合 资成立专门生产 DRAM 的公司尔必达，当时普遍认为尔必达是“强大技术研发实力 的日立”和“强大生产技术的 NEC”合二为一，由此将诞生世界上最强大的 DRAM 制造商。甚至后来还有三菱电机的加入，但是尔必达的命运却以破产倒闭而告终。

尔必达最根本的问题在于公司固守生产大型机 DRAM 思维而缺乏用低成本来 生产低价格 PC DRAM 的意识。金融危机之后 DRAM 曾经跌破了 1 美元，当时尔必 达高管在公开场合认为 1 美元的 DRAM 是无稽之谈，尔必达还是坚持了早年日本 DRAM 行业走高端高价格的路线，必然遭到时代的淘汰。

日元升值并不是日本 DRAM 丧失地位的主因。部分研究认为主要是贸易摩擦导 致的日元汇率升值使得日本成本优势降低，于是韩国的 DRAM 后来居上，我们认为 不应高估汇率变动对日本 DRAM 产品竞争力的影响，85 年之后的韩国在 DRAM 市 场可谓一骑绝尘，但 97 年韩元在短暂贬值后开启了 10 年的升值周期，升值幅度接 近一倍，但这期间韩国 DRAM 的全球市占率却从 35%上升到接近 50%，而且在 08 年金融危机后韩元同样持续升值，但 DRAM 市占率一路冲到最高接近 70%。并且以 美元计价的日本和韩国两国制造业平均工资水平韩国曾一度与日本相当，但日本却 再也没能重拾当年的雄风，在 DRAM 市场一路溃败。

（四）鹬蚌相争，渔翁得利：日美半导体贸易摩擦最大的赢家 是韩国

1984年才成立知识产权委员会限制对日技术输出的意义不大。1983年美国认定， 对美国科技的挑战主要来自日本。以后，美国就开始在高技术方面对日本采取防范 措施，并加大对知识产权的保护力度于 1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术 外流。而此时的日本半导体技术虽然无法完全与美国抗衡，但关键技术都已经获得 突破。1980 年，日本宣布为期四年的“VLSI”项目顺利完成，期间申请实用新型专 利 1210 件，商业专利 347 件。更重要的是，到了 64K DRAM 大规模集成电路时代， 富士通公司的研发进度开始与 IBM、德州仪器等美国企业并驾齐驱，而到了 256K DRAM 时代，美国才刚研制出来，日本富士通和日立的产品已经量产上市。可以说 此时的日本 DRAM 产业已经不需要依靠美国技术。

对日本 DRAM 反倾销牺牲了日本却成全了韩国。到了 1985 年眼看限制对日技 术输出也无法阻止日本 DRAM 一统天下，美国开始对其进行更直接的反倾销调查直 至后续逼迫日本签订《日美半导体协议》。尽管我们认为日本 DRAM 衰败更多原因 来自于日本企业自身，不可否认美国的反倾销调查加速了日本 DRAM 的下滑，但美 国没有想到的是韩国的 DRAM 厂商却趁势崛起，以三星为代表的厂商获得了全球 70% 左右份额。

韩国DRAM厂商崛起而美国无力阻止。1985年之后韩国DRAM份额逐渐上升， 此时 DRAM 的消费主力逐渐从大型机转向个人 PC，而个人 PC 的生产主力地区在中 国台湾，因此韩国DRAM主要销往台湾等地，美国无法阻止台湾厂商进口韩国DRAM。 当然美国进口的 PC 当中也有使用韩国 DRAM 的，但是这些进口 PC 中大部分都是美 国自己的品牌，并且，在 1980 年之后由于受日本 DRAM 冲击太大，美国本土企业 已经逐渐撤出 DRAM 生产，此时美国对韩国 DRAM 进行贸易摩擦已经没有意义。

五、贸易摩擦后日本电子制造业的演进对中国的启示

既没有富士康，更没有苹果与高通。日本电子制造业在二战后因为美国的扶持以及本国举国体制发展半导体，曾经取得了辉煌的成就，但近年来日本电子制造业却持续萎靡，只在半导体材料和设备领域维持着领先的市场份额，日本电子制造业 60 多年的发展史既没有产生富士康这种代工领导者，更没有产生苹果与高通这类核 心设计品牌，偏居上游的日本电子制造业有逐渐空心化的趋势。

日本电子制造业衰落主要原因没有把握住科技产业创新的趋势。我们认为贸易摩擦并不是日本电子制造业的这一空心化趋势的核心因素，究其原因，主要是日本 没有把握住科技产业创新的潮流，在 1985 年之前大型机时代，日本电子制造业逐渐 崛起，但是从 2000 年互联网 1.0 时代开始日本逐渐与行业最新潮流脱钩，以至于持 续错过了互联网 1.0 以及 2.0 时代，当前处于互联网 2.0 向 AI、5G 以及智能驾驶变 革的关键时期，能否抓住这一潮流对日本以及当前的中国都至关重要。

中国当前虽有贸易摩擦，但基本卡位了科技创新的每一波潮流。当前中国虽然处于贸易摩擦的阴霾笼罩下，但是我们紧扣科技产业创新的节奏，中国科技公司紧 跟互联网 2.0 以及移动互联网的步伐，并且在新能源车领域整体水平不输国外公司， 在这过程中涌现出一大批领导者企业如 5G 领域的华为、AI 领域的海康威视、商汤 科技以及智能驾驶领域的百度。我们持续看好中国科技企业今后的创新，在这之前 日本公司的一些经验教训值得我们学习。

（一）加大核心零部件与设备的自制，降低对产品组装的依赖

贸易摩擦不可否认对日本电子制造业的出口额造成了巨大影响，尤其是对于部 分电子产品如电视机以及家庭录像设备（VTR）而言几乎是毁灭性的打击，但日本 电子制造业当中零部件的出口却一直处于上升态势，相对于终端产品需要大量的组

装工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉动日本电子制造业的 毛利率水平。类似案例在电视机行业尤为显著，日本彩电行业在 1985 年之后出口锐 减，但是日本液晶显示屏的出口却日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占据了全 球市场的 40%以上。

2008 年之前我国半导体设备基本全靠进口，因此国家设立了 02 专项研发国产 化设备。但是，由于设备制造对技术和资金需求要求比较高，只有北方华创、中微 半导体、上海微电子等少数重点企业能够承担 02 专项研发工作，整个行业集中度相 对较高。虽然在 02 专项的支持下，我国半导体设备实现了从无到有，但相比国内庞 大的市场规模而言，自给率不足 15%。

即使在发展水平相对较高的 IC 封装测试领域，我国与先进国际水平相比仍然 存在较大差距。尤其是单晶炉、氧化炉、 CVD 设备、磁控溅射镀膜设备、 CMP 设 备、光刻机、涂布/显影设备、 ICP 等离子体刻蚀系统、探针台等设备市场几乎被国 外企业所占据。

（二）注重水平分工，降低生产成本

我们认为水平分工分为两个层次：一个是产业内的从 IDM 模式到 Fabless 模式， 另外是地域性的从国内到国外的水平分工。

忽视产业内的水平分工是日本半导体企业失败的重要原因之一。贸易摩擦对日本电子制造业低端产品影响较大，而相对高端的日本半导体企业之所以衰退的第一 个重要原因就是坚持垂直一体化的生产模式（IDM）。早期日本半导体企业都是和 Fabless 的模式背道而驰，与此同时日本半导体企业也在节节败退，从 2000 年开始， 日本半导体企业已经无法继续坚持 IDM 的模式开始向 Fabless 模式转变。

收入增长时设备投入也增加。日本半导体企业在销售额增加的时候，当年的设备投资额也会相应增加，销售额减少的时候设备投资额也会减少，结果是当销售额减少的时候，由于前期投资持续增加，带来设备的折旧也是在增加的，导致企业的 盈利忽高忽低。而采用 Fabless 模式的高通公司营收与折旧增长基本同步，就连需要 重资产投入的代工厂台积电的营收与折旧增长相关性也远高于日本的情况。

1985-1986 年，由于刚受到贸易摩擦的影响，日本半导体企业的出口受到一定影 响，销售额开始下滑，但是折旧却大幅度上升，折旧金额和销售下降叠加，企业利 润压力增大。

忽视地理上的水平分工是日本半导体企业失败的另一重要原因。日本企业主张“设计部门和生产部门必须属于同一个地区同一个企业”，这是因为设计部门和生产部门需要密切交流，共享信息，否则就无法做出优秀的产品。这样的企业文化导致 日本很少考虑地理上的水平分工。

我们用一国对外 FDI总额与本国当年GDP 的比重来衡量地理上水平分工的程度。 1980 年代美国 FDI 与 GDP 的比重略超 5%，到近两年一路提升到 30%左右，而日本 的数据却一直在 5%以下徘徊。同为后起之秀的韩国的 FDI 比重在 1992 年首次超过 日本之后一直到 2014 年才重新被日本超越，一方面说明过去 20 年日本对 FDI 确实 过于保守，也说明了近年来日本对 FDI 开始更加重视。

地理上的水平分工有利于企业降低生产成本，1985 年之后日元持续升值，日本 DRAM 厂商完全可以对外进行 FDI，将生产基地转移至国外，由于日元升值，厂商 的海外购买力其实不断增强，一方面利用国外廉价劳动力，一方面购买国外廉价零 部件，但 90 年代前几乎没有日本半导体厂商这么做。

六、贸易摩擦背景下中国电子制造业的突围

贸易摩擦后的日本电子制造业出现了两层分化，我们认为日美贸易摩擦对日本电子制造业的第一层分化只是催化剂的作用，而对于第二层分化，其主要原因是日本自身没有把握住科技创新的趋势。对当前中美贸易摩擦背景下中国电子行业会如 何发展这个问题，我们首先从中日电子行业比较开始入手。

（一）美国对中国限制措施持续升级

本轮中美贸易摩擦开始于特朗普于2018年 3月 22 日签署备忘录，宣布依据 1974 年贸易法第 301 条指示美国贸易代表对从中国进口的商品征收关税，以“惩罚中国 偷窃美国知识产权和商业秘密”，涉及商品总计达 600 亿美元。中国商务部其后作出 反制措施向 128 种美国进口商品征税，其中包括美国向中国出口最多的货品大豆。 中美双方曾一度于 2018 年 5 月达成暂停贸易摩擦的共识，并发表联合声明寻求和解。 但美国贸易代表办公室仍于 6 月 16 日公布对华加征关税清单，中国国务院关税税则 委员会其后作出对等报复，中国商务部亦重启对美输华多项产品的反倾销调查。

2018 年 7 月 6 日，特朗普政府正式对来自中国价值 340 亿美元的商品加征 25% 关税，标志着特朗普对华关税政策正式实施。中国商务部其后在声明中指出，“美国违反世贸规则，发动了迄今为止经济史上规模最大的贸易摩擦”。中国海关总署指， 中方的报复措施已在美方加征关税措施生效后即行实施。

（二）遭受贸易摩擦前中日两国电子制造业实力对比

日本电子制造业对外贸易依存度远高于中国。我们用电子制造业的出口金额与 行业总产值的比来衡量对外贸易依存度。日本电子行业对外贸易依存度自 1950 年来 一直呈上升态势，而中国的情况恰恰相反。1985 年贸易摩擦前日本电子制造业对外 贸易依存度达到 56%，而当前中国电子制造业对外贸易依存度仅为 39.32%，贸易摩 擦开始后日本为了减少对对外贸易的依赖加大内需的开发，日本电子行业从 1985 年 到 2000 年期间对外贸易依存度呈现持平状态，到 2000 年该数字为 55%，由于日本 电子制造业本身发展迅速，并且在全球市场竞争力较强，我们认为这 15 年间日本电 子制造业的对外贸易依存度能保持持平说明开发内需确实效果显著。

然而中国近年来的情况与日本当时的情况完全相反，08 年金融危机之后中国电 子制造业的出口比重一路下滑，造成中国这一情况的原因是出口总额多年来没有上 升。生产总额从 08 年来增幅接近 300%，而出口总额增幅只有 40%，说明中国内需 增长旺盛，内需消化的产值远高于出口。1985 年之前日本之所以出现贸易依存度不 断提高主要是因为出口增幅远高于总产值增幅，1985 年的出口金额和总产值分别是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本维持零增长态势，但是生产总 值在 2000 年达到顶峰后一路下滑，导致贸易依存度被动性提高。

总结来看，中国当前电子制造业主要是内需拉动，与日本高贸易依存度的需求 结构相比有着更强的抵御贸易摩擦的能力。

中国电子制造业在全球是“参与者”而不仅仅是“供给者”角色。我们以集成 电路行业为例，中国 2016 年集成电路进口 2270 亿美元，本土产值 652 亿美元，出 口 614 亿美元，本土总产值与出口额相近，说明本土产品或服务基本都是用于出口， 中国集成电路行业封装环节产值占比达到 36%，封装占比高说明中国集成电路出口 基本都是给国际厂商提供封装服务，同时中国每年进口 2270 亿美元，出口额与进口 额相差较大与中国集成电路行业本身产业结构有关，中国一方面提供封装服务，同时从国际市场进口大量集成电路成品，说明中国集成电路在全球市场是“参与者” 的角色。日本集成电路行业在 1985 年时总产值达到 80 亿美元，而出口和进口分别 只有不到 30 亿美元和 6 亿美元，极少的进口额和极高的总产值说明日本半导体产品 基本不需要参与国际分工，其 IDM 的模式可以实现自给自足，同时日本当年的出口 额是进口额的接近 5 倍，如此大的差额比中国当前的结构更容易遭受贸易摩擦，而 事实上日本集成电路行业当年就遭到了美国的多次反倾销调查。

我们认为当前中国集成电路的产值与贸易结构相比日本当年在抵御反倾销调查上具有优势，同时因为我们是国际分工“参与者”，在“禁运”（美国对中国出口） 方面对方又不得不考虑对其本土企业生产的影响。

（三）与日美电子贸易摩擦相比，美国对中国打击力度加大

当前中美贸易摩擦针对电子制造业美国已出台措施的打击力度不亚于当年日美 贸易摩擦。80 年代日美贸易摩擦从 1984 年开始一直延续到 1991 年，期间出台多项 限制日本电子制造业的合约，1986 年签署的《日美半导体保证协定》决定对日本出 口的半导体产品价格进行监督，一般认为 1986 年《日美半导体保证协定》是左右日 后日本半导体产业命运的重要因素。当时日本最擅长的存储行业，因为对美协定的 制约，被中国台湾、韩国赶超上来，风光不再。

当前中美贸易摩擦美方已经出台的措施主要有禁运和加征关税两种。我们统计了美方三次加征关税的清单当中涉及电子制造业的部分，从加征关税的名单来看主 要是对 160 亿美元加征关税的清单二涉及较多集成电路板块出口，但对上市公司涉及金额较小，受影响程度较小。此外，中美贸易摩擦美方已出台的措施最为严厉的 当属去年 4 月份的中兴通讯和福建晋华禁运事件。

中兴事件虽然和解，但却为中国电子制造业敲响警钟。中兴通讯全线产品过多依赖于美国芯片和光模块厂商，美国实施完全禁运的情况下，中兴通讯及关联公司 不能直接或者间接购买美国零部件、商品、软件和技术，从上述分析看，基站侧 FPGA、 高速 AD/DA、功率放大器、高速光模块等都会受到美国制裁影响，而且没有办法从 其他国家获得替代性产品，这些核心元器件无法供应的情况下，公司产品的交付能 力会面临比较大的挑战。

华为、晋华事件凸显核心设备和材料国产化迫在眉睫。2020 年 5 月 15 日，美国 商务部宣布一项新计划，将通过修改出口管理条例（EAR），要求全世界所有公司， 只要利用到美国的设备和技术帮华为生产产品，都必须经过美国政府批准。此次升 级继续针对华为。自 2019 年 5 月 17 日美国 BIS 将华为及附属公司超过 70 家纳入实 体名单以来，华为芯片核心产业链去 A 化进展已取得显著成效，在 IC 设计端的移动 处理器、存储、模拟、传感器、射频前端、功率半导体等部件都已经具备绕开美国供应商的可行性路径。但国内半导体核心环节依然受制于人，本次美国对华为的限 制升级新规主要集中芯片设计所需的 EDA 软件和半导体设备。

日本怕反倾销，中国怕出口禁运。我们认为中日两国的贸易结构决定了两国在贸易摩擦方面的软肋，日本的电子制造业主要是出口导向型，对外贸易依存度不断 提升，近年来更是达到了最高的 80%，日本的产业结构注定了其容易遭受反倾销的 调查，而历史上日美贸易摩擦时美方使用的手段也基本都是围绕反倾销和最低价格协定等诸如此类的限制日本出口的措施。而中国电子行业对贸易依存度较低，最新 数据不到 40%，尤其在集成电路行业进口额达到出口额的 4 倍左右，中国的产业结 构注定了高端材料和设备以及芯片是软肋，从华为、中兴事件和晋华事件来看，中 国对禁运几乎毫无还手之力。

（四）中美贸易摩擦对中国电子制造业的长期影响

中美贸易摩擦的解决不会一蹴而就，反复摩擦将是常态。日美贸易摩擦从 1960 年开始一直延续到 1990 年，其中电子制造业战争集中发生在 1985 年到 1991 年，美 国用 6 年时间改变了日本电子制造业的生产和出口结构，我们认为中美之间贸易摩 擦将是主流，尤其对于电子制造业而言，近年来中美贸易顺差总额为 2500 亿美元左 右，电子信息行业贡献占比 45%，因此电子行业必将成为中美贸易双方最为瞩目的 行业，有可能会招来美方更多的限制措施。

终端产品生产下降，零部件占比提升。参考当时日本的案例，日本电子制造业当中零部件的出口却一直处于上升态势，相对于终端产品需要大量的组装工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉动日本电子制造业的毛利率水平。类似案例在电视机行业尤为显著，日本彩电行业在 1985 年之后出口锐减，但是日本 液晶显示屏的出口却日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占据了全球市场的 40% 以上。日本消费电子终端产品产值与行业总产值占比从 2000 年以来基本处于下降通 道，2019 年的比例已经不足 4%。

当前中国智能机、计算机等整机产品在全球市占率第一，而关键零部件以及高端设备基本都是依赖进口，日美贸易摩擦的案例告诉我们在当前中美贸易摩擦的背景下我们的终端产品在全球的成本优势会下降，提高核心零部件以及设备的研发与 自制是保证中国电子制造业拥有下一个增长点的关键。

加大对外直接投资力度。1985 年之前日本制造业对外直接投资金额维持在 4000 亿日元上下，总体增速较为平稳，制造业对外直接投资与制造业国内总产值的比例 保持在 1%左右。在 1985 年之后的对外直接投资金额开始迅速增长，1988 年开始达 到 17679 亿日元，与总产值的占比攀升到 2%，此后日本制造业对外直接投资波动上 升，在 2013 年达到最高点，与总产值的占比为 7%。预计中美贸易摩擦会加速中国 偏终端产品生产的海外直接投资力度。 当前中美贸易摩擦当中的加税措施预计会提 升中国电子制造业在国内生产的出口成本，如果后续 2000 亿美元加征关税措施出台， 以及加税力度提升，预计偏终端产品的海外转移会加大。尽管终端产品生产的海外转移是一国产业升级必然会出现的现象，但加税等措施会对这一转移过程起到加速 的作用。

加大举国体制力度，实现核心设备与材料的自制。相对于加税等措施，出口禁运是当前中国电子制造业面临的最严重的问题。我们认为举国体制是后发国家突破核心设备自制最好的方式，日本以及韩国都在举国体制下实现了核心设备的突破。 我国半导体行业在 02 专项以及大基金项目的帮助下核心设备自给率尚不足 20%，预 计后期政府会持续加大对半导体设备与材料企业的投入，并且晶圆厂会加大与设备 厂的合作力度，改变以往双方合作水平较低的状态。

七、日本电子制造业重点公司案例 （略，详见报告原文）

（一）村田——持续根据市场需求改变发展战略

（二）TDK——重视资本投入和技术创新，年平均资本投入远 高于行业水平

（三）京瓷——注重钻研开发，注重多领域发展

（四）太阳诱电——“精细”和“极致”铸就优良品质

八、投资建议

长期看好中国电子制造业受益于全球产能的转移，以及在举国体制下对核心设备以及材料的突破。建议重点关注半导体设备、材料、设计、封测环节具备国产化 替代的优质公司：1）半导体设备：中微公司、北方华创、至纯科技、华峰测控、精 测电子、晶盛机电等。2）半导体材料：深南电路、安集科技、鼎龙股份、沪硅产业、 华特气体、江丰电子、上海新阳等。3）设计：韦尔股份、兆易创新、卓胜微、澜起 科技、北京君正、汇顶科技、圣邦股份等。4）封测：深科技、通富微电、长电科技、 华天科技、晶方科技、太极实业等。

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（报告观点属于原作者，仅供参考。报告来源：民生证券）

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