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来源:今日半导体发布时间:2022-04-14688浏览
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瀚天天成碳化硅(SiC)产业园二期项目封顶,预计今年二季度投产

近日,位于高新区同翔高新城(翔安片区)的瀚天天成碳化硅产业园二期顺利竣工,并于3月底进行联合验收,项目计划今年二季度投产。
该项目由国内首家、全球第四家可以生产销售6英寸碳化硅外延晶片的高新技术企业——瀚天天成电子科技(厦门)有限公司投资建设。项目总投资6.3亿元,占地面积29002.015平方米,其中一期项目已建成投产,二期项目2020年11月动工,建设6英寸碳化硅外延晶片生产线及配套设施,建成投产后预计年产值20亿元。
瀚天天成官方消息显示,公司是国内首家产业化3、4、6英寸碳化硅外延晶片生产商,同时代理销售半导体相关的产品及技术。2月9日,瀚天天成曾表示,将于今年正式迁入新建的碳化硅产业园,并将首次突破碳化硅外延年出货量10万片大关,年底前产能将远超国际竞争对手。

年产2.5万片6英寸芯片,市值超600亿A股企业升级碳化硅生产线
4月12日,株洲中车时代电气发布关于自愿披露控股子公司投资碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目的公告。公告显示,公司控股子公司株洲中车时代半导体拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。

△Source:时代电气公告截图
项目建成达产后,将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。
目前,第三代半导体市场广阔,集邦咨询表示,相较于Si,SiC在高压的系统中有更好的性能体现,有望逐步替代部分Si base设计,大幅提高汽车性能并优化整车架构,预估SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。
时代电气表示,通过本项目实施,形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线,并进一步研发高性能的新产品,可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步,提升产业化水平,实现国家第三代半导体关键芯片自主化,提升国际竞争力,保障第三代半导体产业的可持续发展具有重要意义。
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