长光时空联合长春光机所研制出人眼安全波段VCSEL芯片！

垂直腔面发射激光器（Vertical cavity surface emitting laser, VCSEL）具有低功耗、小体积、圆形对称光斑及高可靠性等优点，目前国内有多家企业在从事850nm/940nm/905nm VCSEL相关产品研发和生产。

1550nm激光满足人眼安全要求，在激光雷达、气体探测等领域有广泛应用前景，但是目前国内在1550nm VCSEL商用产品研发方面尚未取得突破。

近日，长光时空联合长光所王立军院士团队，研制出高性能1550nm VCSEL芯片。技术人员通过采用高增益应变量子阱，在国内首次研发出光功率达到毫瓦量级的单模1550 nm VCSEL。

Source：长光时空

在温控设定在15 ℃时最高激光功率达到2.6 mW, 边模抑制比（SMSR）最高达到35 dB，并具有良好的温度适应性。该项研究以《1550 nm毫瓦级单横模垂直腔面发射半导体激光器》发表于《物理学报》（全文链接：https://wulixb.iphy.ac.cn/article/doi/10.7498/aps.71.20212132），并被选为“编辑推荐”论文。

论文第一作者是我公司技术总监、长春光机所张建伟教授，通讯作者是公司总经理张星，论文作者还包括中国科学院王立军院士和宁永强教授。

长光时空团队在王立军院士、宁永强教授的领导下，从2002年至今在高性能VCSEL芯片研发和产业化方面保持了与国外并跑发展：

进展一：2004年在国际上首次报道了输出功率1.95W的VCSEL芯片，是当时的国际最高指标；

进展二：2010年研制出在衬底表面集成微透镜的低发散角VCSEL芯片，实现高光束质量激光输出；

进展三：2011年报道了脉冲输出功率92瓦的980nm VCSEL芯片，被《Laser Focus World》评价为“纪录水平”；

进展四：2014年报道脉冲输出功率数百瓦的高功率VCSEL芯片和模组，被《Semiconductor Today》评价为“VCSEL阵列的最高功率水平”；

进展五：2018年发布面向激光雷达应用的905nm百瓦级高功率VCSEL芯片，获麦姆斯咨询专文报道；

进展六：2022年报道了适用于量子陀螺的高功率795nm VCSEL，获科学网、中科院之声、澎湃新闻等报道；

上述工作先后得到了国家自然科学基金重点项目、国家重点研发计划、中国科学院STS项目、吉林省科技发展计划项目、长春市“双十工程”重大科技攻关计划项目的支持。（文：长空时光）

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