清纯半导体推出国内首款15V驱动SiCMOSFET

市场动态：近日，清纯半导体发布了国内首款15V驱动的1200V SiC MOSFET器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC MOSFET产品空白。

国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」日前宣布发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白，使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。据悉，公司首款1200V 75mΩ SiC  Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。

自中国明确双碳目标以来，我国新能源行业进入跨越式发展阶段。新能源汽车行业正步入爆发期，这也催生出了巨大的功率器件市场。SiC功率器件得益于高压、高温及高频的独特优势，正成为新一代电力转换的核心器件，已在新能源汽车、光伏逆变器、储能等领域获得广泛应用，显著提高了电力转换效率。国家“十四五”计划点名发展“碳化硅等宽禁带半导体”，希望国内厂商能够尽快追赶国际水平，推出自主可控的产品。

SiC Mosfet作为应用最广泛的碳化硅功率器件，早已在国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中广泛使用，其需求也在迅速扩大。但SiC Mosfet相关核心技术始终未被突破，在产品性能和可靠性方面与国际主流产品仍有较大差距，国内市场主要被国外厂商占据。

据悉，该器件主要有18V驱动和15V驱动两个类型，其中15V驱动产品优势更加明显：

客户采用15V驱动的产品，一是系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；

二是进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗；

三是国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易。

同时，15V驱动的产品开发难度更大，对产品设计水平和制造工艺的要求更高，经过近年来的努力，国内已有个别厂家能够少量提供18V驱动的SiC Mosfet产品，但国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiC Mosfet,加快对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品的替代，由此进一步拉开了与国内产品的技术代差。

清纯半导体此次发布的15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品首次填补了国内该系列产品空白，带领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。相比国际主流产品，本次清纯半导体推出的15V驱动1200V SiC Mosfet器件产品，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗，综合损耗更小，效率更高。

下表是清纯半导体Mosfet与国际一流产品（源于各产品的规格书）的比较：

SiC MOS厂家

清纯半导体

公司1

公司2

公司3

产地

中国

北美

日本

欧洲

技术平台

第1代

第3代

第3代

第1代

Vgs,on (V)

15

15

18

15

Rds,on（mΩ）

75 

75 

80 

80 

Qg (nC)

(测试条件)

35

(800 V/20 A)

54

(800 V/20 A)

60

(600 V/10 A)

30

(800 V/13 A)

清纯半导体基于自主工艺开发的国产1200V SiC Mosfet系列产品一经推出即得到市场的热烈响应，据碳化硅芯观察了解，公司首款1200V 75mΩ SiC Mosfet产品已经通过车规级测试并获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单。

  清纯半导体 

清纯半导体成立于2021年3月，为国内领先的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有国际领先的研发团队，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。

公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC  Mosfet的企业。

目前，清纯半导体已完成1200V全系列碳化硅功率器件的产品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等规格SiC SBD（碳化硅-肖特基二极管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格SiC Mosfet（18V和15V驱动可选）。

其供应的SiC器件具有国际先进水平的卓越性能，可广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域，可直接实现SiC器件的国产替代，同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势，丰富的产品系列能够满足诸多目标应用的需求，进一步推动国产高性能功率芯片的发展和应用。