天科合达重启IPO！

历时一年多，在2020年10月16日终止科创板IPO申请之后，国内SiC衬底领先厂商天科合达于近日重启IPO！

 

4月12日公告显示，天科合达拟申请在中华人民共和国境内首次公开发行股票并上市，辅导机构是中金公司，后者将根据有关规定及相关约定开展辅导工作。

Source：拍信网

 

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SiC衬底技术领先，众多资本大咖加持

天科合达成立于2006年9月，主营第三代半导体SiC材料的研发、生产及销售，拥有国内第一条SiC衬底中试生产线，核心产品是SiC衬底（导电型和半绝缘型），同时也提供SiC籽晶、晶体等其他SiC产品及SiC单晶生长炉。

 

作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达建立了六大自主知识产权的SiC核心技术体系，在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底并掌握了制造技术，相继实现2-6英寸SiC衬底产品的规模化供应。

 

2017年至2020年3月，天科合达营收分别为2407万元、7813万元、1.55亿元、3223万元；归母净利润分别为-2035万元、194万元、3004万元、440万元，也就是从2018年开始成功转盈。从产品结构来看，2019年SiC衬底营收7440万元，占比为48%；2020年前三个月SiC衬底营收为2025万元，占比提升至63%。

 

自成立以来，天科合达便从技术、产品、产能、市占率等各方面全力追赶与Wolfspeed和II-VI等国际巨头之间的差距，并取得了显著的成果。天科合达称，公司部分产品在整体性能指标上已可媲美国际厂商。另据Yole Development统计，2018年天科合达导电型衬底在全球市场的占有率为1.7%，排名全球第六、国内第一。

 

而随着第三代半导体材料在新能源汽车、光伏储能、通讯基站及数据中心等行业的潜力不断被挖掘，掌握SiC关键技术的国内企业也获得了资本市场广泛的关注和支持，天科合达拥有制约SiC晶圆产能的衬底核心工艺与技术，也处于“聚光灯”之下。

 

据企查查显示，2009年至今，天科合达已完成多轮融资，投资者包括大基金、华为哈勃等投资大咖。其中，新疆天富能源在2021年两次战略投资了天科合达，投资金额合计3.75亿元。由此可见，天科合达的发展前景备受看好，融资表现不俗。

 

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扩产项目稳步推进，积极拓展SiC关键原料

重启IPO表明天科合达已做好了准备，若此番成功上市，天科合达在融资和资金配置方面的灵活性将进一步增强，有利于其更好地开展SiC衬底技术的研发与突破工作，加速推进扩产项目的建设和实施。

 

据了解，天科合达的第三代半导体SiC衬底产业化基地建设项目已于2020年8月开工，总投资约9.5亿元。该项目将建设一条400台/套SiC单晶生长炉及配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线，建设完成后将形成12万片6英寸SiC衬底的年产能。

 

另外，天科合达的参股公司深圳市重投天科半导体有限公司于2021年9月竞得第三代半导体产业链重点产业建设项目用地，项目建成后将有效弥补国内6英寸SiC单晶衬底和外延产能缺口，解决下游客户在SiC器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈的问题，并逐步摆脱下游产业对进口SiC材料的依赖。

 

今年，天科合达进一步拓展SiC上游原料市场，其于近日与碳基复合材料龙头金博股份达成了战略合作关系，未来将与金博股份共同研发满足第三代半导体领域应用的热场材料、保温材料与粉体材料，以满足天科合达对相关材料国产化的需求，换言之，天科合达在一定程度上锁定了SiC衬底关键原材料的产能，在材料供给方面获得了保障。

 

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结语

 

当前，国内厂商与国际厂商在SiC技术和先发优势上仍存在一些差距，而国内SiC市场竞争也日趋激烈，叠加芯片等上游原材料持续缺货，厂商在自主创新能力、资金实力、规模化生产能力等方面均面临着更加严峻的考验，而以天科合达、天岳先进为代表的SiC衬底厂商正凭借着较强的实力，通过上市、扩产、布局产业链等方式，全方位赶超国际厂商，未来国产SiC衬底厂商在全球市场的占有率能否加速提升值得期待。