中车时代拟扩产6英寸沟槽型SiC芯片！

今日午间，时代电气发布公告宣布控股子公司中车时代半导体拟投资4.62亿元进行SiC芯片生产线技术能力提升建设项目，建设工期为两年。

 

项目建成达产后，现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力将提升至满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，而现有4英寸SiC芯片产线也将提升至6英寸产线，现有4英寸芯片产线年10000片/年的能力将提升至6英寸SiC芯片产线25000片/年。

Source：中车时代

 

根据TrendForce集邦咨询分析，现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，尽管Wolfspeed等国际IDM大厂8英寸进展超乎预期，但由于良率提升及功率晶圆厂由6英寸转8英寸需要一定的时间周期，因此，至少未来5年内6英寸SiC衬底都仍为主流。

 

从市场驱动力的角度来看，新能源汽车领域是SiC市场的最主要成长动能。Trendforce集邦咨询最新报告《第三代半导体功率应用市场报告》预估，随着电动车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。

 

由此可见，中车时代半导体本次的举动符合行业当前的发展趋势，也可以视作对全球“缺芯”潮的一个应对措施，未来可望进一步满足新能源汽车领域对6英寸SiC芯片的需求。

 

据化合物半导体市场了解，中车时代半导体依托在IGBT功率半导体市场的技术储备和丰富积累，已在SiC领域打造出自主领先设计与制造能力的汽车SiC功率模块应用及产业化平台。

 

2021年，时代电气推出国内首款自主SiC大功率电驱产品C-Power 220s，其中所用的SiC器件就来自于中车时代半导体，并在技术上取得重要突破。据悉，基于SiC技术的C-Power 220s攻克了SiC驱动、电磁兼容、轴承电腐蚀、高压绝缘等关键技术。

 

当时，时代电气还坦言，国际汽车巨头大众、奔驰、现代、通用等主流车企均宣布了800V高电压平台计划，国内的岚图、吉利极氪、小鹏、广汽埃安、比亚迪e平台、理想等车企也已加快布局800V快充技术，而SiC技术是解决新能源汽车800V高压快充的关键技术。未来，中车时代半导体的SiC技术将助力新能源汽车快充技术的升级。

 

值得注意的是，SiC的应用触角正在不断向除新能源汽车领域之外的应用领域延伸，而中车时代半导体的布局蓝图也不止新能源汽车领域，其SiC也已在地铁、光伏等领域实现示范应用。（文：化合物半导体市场 Jenny整理）

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