安森德半导体推出多款中低压MOS，满足20-100W快充电源应用

安森德半导体专注于中低压MOS研发设计及销售，产品在PD电源、墙充、快充、笔记本电源、排插等领域有着广泛应用，主要产品类型有次级同步整流、同步降压、Vbus开关等MOS型号。

 

 

安森德半导体SGT/TRENCH工艺同步整流/VBUS MOS的主要特色：超低Rdson、超低Ciss，本篇文章重点推荐三个型号。

 

安森德ASDM100R066NQ

 

安森德ASDM100R066NQ是一款N-MOS，可用于次级同步整流MOS，耐压100V，Rdson低至6.6mΩ，应用于65W快充产品的同步整流。

 

 

安森德ASDM100R066采用SGT工艺，具有低开启电压，超低Rdson、Ciss小，开关速度快的特点，DFN5*6封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。

 

该器件已经应用于AUKEY傲基一款双C口63W快充充电器、雷柏氮化镓快充充电器配备1A1C双输出口、联想拯救者电竞手机Pro专用双C口充电器65W、倍思65W 2C1A氮化镓快充充电器等快充方案中。

 

安森德ASDM100R045NQ

 

安森德ASDM100R045NQ也是一款N-MOS，耐压100V ，Rdson低至3.8mΩ，可用于65W快充及以上产品次级同步整流。

 

 

安森德ASDM100R045NQ采用SGT工艺，具有低开启电压，超低Rdson，Ciss小，开关速度快的特点，DFN5*6封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。

该器件目前已经应用于Lapo 65W USB PD氮化镓快充充电器、Nubia努比亚65W 2C1A氘锋氮化镓快速充电器、倍思65W 2C1A氘锋氮化镓快速充电器、征拓65W 2C1A快速充电器、HYPER JUICE 100W氮化镓充电器等方案中。

 

安森德ASDM30N40AE

 

安森德ASDM30N40AE属于N-MOS，耐压30V，Rdson低至6mΩ，可用作18W A+C快充及以上产品VBUS开关。

 

 

安森德ASDM30N40AE采用Trench工艺，具有低开启电压，超低Rdson，Ciss小，开关速度快的特点，DFN3*3封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。

 

该器件目前已经应用于芯仙 33W 1A1C USB PD氮化镓快充充电器、Nubia努比亚45W 1C1A氘锋氮化镓快速充电器、征拓45W 1C1A快速充电器。

 

关于安森德半导体

 

西安安森德半导体有限公司（Ascend Semiconductor）是一家专注高品质、高性能功率器件研发及销售的半导体公司，公司技术团队主要来自欧美和台湾领先半导体公司，掌握先进的专业功率器件设计、工艺、生产和测试技术，具有丰富的产品质量管理经验。

 

安森德半导体总部设在西安，在深圳设立运营中心、上海、台湾等设有分公司和办事处，充分发挥各地的技术和供应链优势，保障产品各个环节，及时服务客户，满足客户需求，为客户和合作伙伴最大限度创造价值。

 

安森德半导体的功率器件产品性能优良，品质卓越，具有不同等级，不同规格的系列化产品，广泛应用于消费数码，智能家电，IOT物联网，5G通讯以及车载电子，工业控制，医疗设备、测试仪表等众多领域，公司更具有全面和专业的产品应用经验。

安森德半导体将以市场为导向，以创新为驱动，以价值为目标，坚持自主创新，不断开发更高性能的专业功率器件，持续推出性能，功耗，可靠性等方面具有国际领先水平，在产品性价比方面具备国际竞争力及良好产业化前景的新一代功率器件产品，立志成为国内和国际一流的专业功率器件设计公司。