中国即将量产7nm，辅以芯片堆叠技术可望媲美台积电4nm

据业界人士指出7nm工艺即将量产，将以现有的DUV光刻机实现，这对于中国芯片制造来说可谓巨大的突破，由此可望解决芯片生产问题，提升国产芯片自给率。

7nm工艺可谓是芯片制造工艺的一个临界点，台积电、三星和Intel都是如此，突破了7nm工艺将达到一个全新的阶段。

台积电是全球最先实现7nm工艺量产的芯片制造企业，它就是以DUV光刻机实现了7nm工艺，并以此工艺先后为华为海思、苹果、高通、AMD等生产芯片，获得了颇佳的性能，至今高通用了3年的骁龙870在功耗表现方面都比它后来的两款高端芯片骁龙888、骁龙8G1优异得多。

随后台积电以EUV光刻机推出了7nmEUV，在性能功耗方面获得了大幅提升，业界人士指出以EUV光刻机生产的7nm工艺在良率方面大幅提升、降低了成本，由此台积电的芯片制造工艺达到新阶段，彻底领先于Intel，此后开始发展5nm、3nm工艺。

可以说7nm工艺是一个关键节点，跨过了这个节点，就可以顺利量产更先进的工艺。同时台积电的7nm工艺演进也说明了无需EUV光刻机也能实现，只不过在性能方面与EUV光刻机生产的7nm相比落户一些。

中芯国际目前是全球第五大芯片代工企业，不过在工艺制程方面可以进入前三，原因是位居它之前的联电、格芯都已宣布停止研发7nm及更先进工艺，因为这些先进工艺的投资越来越大，而赚钱的难度也更大，毕竟全球高端客户也就那么几家，它们无力与台积电和三星竞争，只好退守当下的14nm工艺，挖掘现有工艺的潜能。

中芯国际在两年前投产14nm工艺之后，就开始研发N＋1、N＋2工艺，业界普遍认为N＋1工艺接近于台积电的10nm、N＋2工艺则接近台积电的7nm工艺，两年时间过去估计它已接近量产阶段，毕竟此前梁孟松在三星负责工艺研发的时候成功推进了7nm工艺。

中芯国际推进7nm工艺对于中国芯片产业具有重要意义，这代表着中国在芯片制造工艺方面已居于全球第三，可以满足国内芯片大多数的需求，毕竟当下除了有限的手机芯片需要采用先进的5nm工艺之外，大多数中国制造业需要的工艺制程只需要成熟工艺就能满足。

中国的科技行业领军者就受制于先进工艺制程，由于台积电无法为它代工生产芯片而陷入当前的局面，如果国产芯片制造技术可以达到7nm，再辅以芯片堆叠技术，那么可以生产出媲美台积电4nm工艺的芯片，那么对于中国大陆的芯片行业来说将是重大突破。

可以说中芯国际量产7nm工艺将具有非常重大的意义，同时国内科技企业科技企业推出的芯片堆叠技术等创新科技与7nm工艺相结合，可以实现加成效果，彻底芯片工艺落后的问题，达到世界领先水平，这将有助于国产芯片加速赶超海外同行。

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