要想生产制造先进制程的芯片，就必须有先进的光刻机，尤其是EUV光刻机，其是生产制造7nm以下制程的芯片必要设备。
EUV光刻机目前仅有ASML能够研发制造，但产能还不足，三星想要更多EUV光刻机都没有货。
最主要的是，EUV光刻机不能自由出货，国内厂商早在2019年就下了订单，结果至今都没有到货。
不仅如此，EUV光刻机出货到外企中国分厂也受到了约束，SK海力士已经进行了谈判，至今还没有结果。
日前，ASML方面又明确表示EUV光刻机暂时还不能自由出货，这是因为《瓦尔森协议》的缘故。
外媒：向ASML说再见
EUV光刻机在2019年开始出货，如今已经过去三年了，EUV光刻机还是不能自由出货，ASML还给出详细的不能自由出货的原因。
对此，就有外媒表示向ASML 说再见。主要是因为以下几点。
首先，ASML不能自由出货。
EUV光刻机是ASML研发制造的，但ASML却不能自由出货，尽管ASML一直都在争取自由出货，却没有结果。
就目前来看，EUV光刻机想要实现自由出货只能满足以下两点，分别是拿到自由出货许可和有同类产品出现。
第一点基本不现实，毕竟，美还一直在修改规则以维持自身在芯片领域内霸权地位。
至于第二点，短时间内不可能有类似EUV光刻机的产品出现，毕竟,EUV光刻机集合了40多个国家的高精端技术，虽然NIL工艺已经出现，但2025年才能够量产5nm芯片。
也就是说，只能加速自研先进的光刻机或者开辟其它新技术。
其次，华为有了芯片新思路。
EUV光刻机是生产制造7nm以下制程的芯片必要设备，而制程越先进的芯片，就意味着其性能等更出色。
如今，情况已经发生了变化，在不缩小芯片制程的情况下，也能够提升芯片的性能，那就是采用先进的封装工艺。
例如，苹果M1 Ultra芯片就将是将两颗M1 Max芯片封装在一起，从而实现了性能的翻倍提升，关键是成本还降低了一半。
华为也已经正式对外宣布将会在未来采用多核架构的芯片，就是用堆叠、面积换性能，用不那么先进的工艺让华为的产品也有竞争力。
为了更好地发展堆叠芯片技术，华为已经先后多项堆叠芯片技术专利，主要是解决堆叠芯片的拼接、成本等问题。
这意味着在不用EUV光刻机的情况下，华为也将会有高性能芯片可用，那就将两颗14nm工艺的进行堆叠，或者是两颗N+1/N+2等工艺的芯片进行拼接。
毕竟，N+1和N+2工艺芯片的逻辑类似7nm芯片，不同的是，一个主打低功耗，一个主打高性能。
最后，国内厂商正在攻坚。
由于ASML等不能自由出货，华为宣布全面进入芯片半导体领域内，旗下的哈勃也不断投资国内相关芯片产业链。
另外，国内其它企业以及科研机构也在光刻机等方面进行突破。
例如，国产曝光系统生产制造基地已经立项，这意味着国产先进光刻机的批量生产不远了；南大光电掌握了Afr光刻胶的生产制造技术，已经开始小规模批量生产制造了。
还有就是，国内多所高校在光源技术、透膜以及切割技术等方面都实现了突破，这些技术的突破，为了未来国产更先进的光刻机提供了技术支持。
更何况，任正非已经说了，只有全面打破才能够彻底解决卡脖子的问题。
所以才有了那句“向上捅破天 向下扎到根”，自然也就不能依赖ASML的技术，说再见也是情理之中。
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