（集微网 慕容）1995年，EDA企业新思科技进入中国。2020年正值新思科技进入中国25周年，新思科技举办了武汉全球研发中心落成投入使用仪式。并邀请了诸多业内学者、产业合作伙伴参与此次活动。芯片制造与EDA有着紧密合作，芯片制造企业台积电（南京）总经理罗镇球，阐释了EDA如何与芯片制造结合来推进工艺制造的不断提升。
图示：台积电（南京）总经理罗镇球
罗镇球指出，不管是5G、AI，或者过去的电脑、移动计算的产品，都离不开集成电路。
在集成电路领域，非常重要的就是像新思科技这样的EDA企业和台积电这样的芯片制造企业，建立了一个非常好的创意平台，进而使得5G、AI或者是计算机、移动计算的相关产品能够实现。
罗镇球指出，在过去这十几年里，台积电和新思科技合作的方式有一个很大的改变。
在2012年之前，新思科技和台积电在合作65nm的时候，是一棒接着一棒的跑。台积电把工艺做出来，接着把做出来的工艺交给新思科技，新思科技再去开发EDA的设计平台以及一些IP，从台积电开始开发工艺开始，到设计公司可以用到这个工艺，两个阶段是1.5+1.5年，3年的时间。
在台积电做7nm的时候，完全被打破。台积电在开始开发工艺的时候，就把合作伙伴新思科技找来一起讨论，怎么样开发这个工艺，怎么样建立一个EDA的平台，怎么样建立一个IP的平台。“这意味着，台积电在开发工艺的同时，新思科技也在开发它的EDA设计平台，以及IP部件。所以当我们的工艺推出的时候，没有一两个月之后，新思科技也推出了它的EDA平台，所以我们总共加起来的时间，就是1.5年的时间。这使我们从工艺开发到整个平台能够推出的时间往前加速了1.5年，就是原来一半的时间。”
花的时间比较短，做出来的产品依然更加的成熟。罗镇球分析指出，原因很简单：第一，improve inside，开始的时候就合作了，更加深化合作，知道互相之间有什么优势和劣势。另一个是经济上的效益，台积电和新思科技之间不用重复投资。之前是各做各的，会有一些重叠的部分。现在不需要重复投资之后，两边用最精简的能力，最有效的能力，把它的产能做出来，这就是双方后来合作的方式。
现在台积电也专注在晶圆代工之外，也很注意帮晶圆找一个新的突破口，也就是3D封装，先进的封装。最近台积电推出了7nm，现在叫7nm的强效版本，重大意义在于EUV的设备已经正式进入半导体行业。“很多人在三年前、五年前都不相信EUV设备能够真正的应用于批量生产，原因很简单，在十几年前，台积电有一位技术副总叫林本坚博士，他发明的工具把原来由ASML 193nm的光刻机推进到154nm，利用水的折射的关系。各位知道EUV的光的波长是多少吗？从153nm推进到13.5nm，这个工艺往前推进已经不是问题了。”
12月初，台积电刚对外发布已经开始成立2nm的工艺团队，持续推进工艺。“有了ASML的神兵利器之后，觉得工艺持续往前推进。”罗镇球讲道。
在与EDA的合作方面，罗镇球分享了台积电和新思科技合作在三个方面：一个是先进工艺，二是特殊性的衍生性工艺，三是3D封装的工作。
在先进工艺上，台积电已经推出的5nm工艺与新思科技的合作非常紧密。5nm在PPA（性能、功耗、面积）都持续不断的微缩，跟过去几个节点丝毫不逊色。台积电在5nm上，已经推出一个完全符合摩尔定律的产品。
期间，对于EDA所发挥的重要性方面，罗镇球指出：“工艺开发出来之后，设计公司是没有办法使用的，它就是一个工艺而已，EDA做出来非常多的工具，让设计公司通过各种不同的工具,能够很容易、方便、高效地来使用台积电的工艺。这些工具，新思科技是无一不有，所有东西都做出来了，新思科技是我们所有EDA和IP伙伴中最坚实的一位。”
在衍生性工艺上，台积电28nm已经出了第六代。“我们从一开始的28nm，一直不断有HPM、HPC、HPC+，我们现在已经推出了22nm，这个22nm有三个版本：22nm的ULP、22nm的ULL、22nm的ULL的low voltage版本。而ULL主要就是功耗要降下来，22nm的ULL可以有20%的功耗降低，22nm ULL的low voltage再下降45%的功耗。以前IoT的产品只能用一天，之后可用一个星期、一个月，如果设计超过一个月的产品，22nm的ULL的low voltage，就可以很容易实现你们所要做的产品。”（校对/xs）
