Fractilia：改善EUV制程随机性误差，助力晶圆厂提高良率

据媒体报道，半导体制造测量方案供货商Fractilia最新表示，随机性误差的测量解决方案可协助半导体晶圆厂在极紫外光（EUV）微影制程中提高良率，避免损失数十亿美元。

Fractilia布局先进半导体制造中随机性误差测量与控制解决方案，应用Fractilia反向线扫描模型（Fractilia Inverse Linescan Model）的专利技术，提供随机性误差测量，目前已获前5大芯片制造商中的4家大厂采用。

Fractilia新闻稿指出，半导体晶圆厂管控关键环节极紫外光微影制程所产生的良率问题，可能受到随机性（stochastic）误差影响，相关挑战的损失金额可达数十亿美元，随机性误差是晶圆先进制程最大的微影图案（patterning）错误来源。

微影随机性误差是随机出现且不会重复的图案化错误。在EUV制程中，微影制程图案错误的制程容错空间，可能超过一半都耗费在随机性误差上，晶圆厂要控制这个问题，就必须测量制程随机性误差。

产业调查机构TechInsights副董事长G. DanHutcheson指出，半导体制造进入EUV生产世代，随机性误差成为主要的良率问题。

Fractilia技术长Chris Mack表示，制程随机性误差迫使晶圆厂必须在良率与生产力间取舍，若通过精准测量并控制制程随机性误差，晶圆厂可以优化并提升内部制程设备的生产力及良率。

Fractilia指出，提供晶圆厂高精准度的随机性误差的自动化测量解决方案，可以克服先进制程微影图案化错误，提升组件良率与曝光机与蚀刻机的生产能力。