1.8亿融资！安建半导体加码SiC器件等产品开发

据消息，半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。

本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。

安建半导体成立于2016年，专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，是赋能高端芯片国产化的企业之一。

据36氪报道，目前，「安建半导体」的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。

近年，随着功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展，传统的硅基功率半导体器件及其材料已经接近物理极限。国际大厂将产业未来聚焦到了第三代化合物半导体身上。第三代半导体就是未来功率器件的发展方向。

据TrendForce集邦咨询研究推估，第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。

Source：TrendForce集邦咨询

SiC适合高功率应用，如储能、风电、光伏、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业。其中，电动车备受市场关注。预估SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。

GaN适合高频率应用，包括通讯装置，以及用于手机、平板、笔电的快充。预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。