瞻芯电子：“双碳”大势下第三代半导体的技术和应用创新

2021年3月，中国将减缓气候变化的行动纳入“十四五”规划，制定了2030年碳达峰行动计划，并积极采取行动实现2060年碳中和的目标。“实施以碳强度控制为主、碳排放总量控制为辅的制度，支持有条件的地方和重点行业、重点企业率先达到碳排放峰值”，在这一政策的驱动下，中国半导体产业和市场必将发生巨大变化，新兴的第三代半导体将迎来更大的市场机会。

上海瞻芯电子CTO叶忠博士接受了媒体采访，回答了关于如何实现“双碳”目标的路径、如何提升能源利用效率的新技术、新能源汽车上的碳化硅(SiC)应用方案、以及第三代半导体的其它应用机会等问题。

从当前的能源使用占比、发电量和用电量结构来看，提高光伏风电发电量占比、普及交通电气化，以及提升工业用电效率是实现2030年碳达峰和2060年碳中和的重要途径。

首先，光伏将逐步从辅助能源成为主力能源。2020年底，我国光伏装机容量为253GW，占全国总发电量的3.4%;到2030年全球光伏新增装机将超2000GW，我国将占一半;到2060年达到碳中和时，我国光伏装机将达到2020年的70多倍，在全国总发电量中的占比将达到43.2%，成为主要的能源形式。

其次，交通电气化全面提速和加速渗透。交通行业碳减排依赖于电动车渗透率的全面提升，电动化的长期趋势是明确的。我国提出2025年新能源车占比目标20%，预计到2025年新能源车销量将超700万辆。此外，与新能源车增长同步的还有充电桩的部署。

第三，工业类电源效率需要不断提升。工业用电量占比是最大的，其中主要包括工厂设备电机驱动、高频加热、数据中心和5G通讯等。这类设备中能源转换和供电效率的全面提升也是减排的重要组成部分。

无论储能、供电，还是充电应用，都要求高压、高效和高可靠性的功率变换。而以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料和器件是实现效率提升的关键，因为基于氮化镓或碳化硅的器件和设备可以满足高压、高效和高可靠性功率转换的要求。

新技术能够更有效、更快速地减少二氧化碳排放。据统计，借助第三代半导体新技术，每生产10万片SiC晶圆可较常规的生产方式减少4,000吨的碳排放。与目前的硅基IGBT相比，第三代半导体新技术的环保性能显然更高。

要提升能源利用效率，首先要降低功率变换过程自身的损耗，这主要体现在开关损耗和导通损耗。对于同一类技术，如平面型或沟槽型工艺，单位面积导通电阻(Rsp)越小，其相对开关损耗也越小。因此，导通电阻(Rsp)成了第三代半导体厂商技术开发的竞赛制高点。

瞻芯电子CTO叶忠博士

据上海瞻芯电子CTO叶忠博士介绍，对于中低压(650V-3300V)碳化硅MOSFET而言，沟道电阻是Rsp的较高占比部分，因此降低沟道电阻是最为关键的技术创新点之一。主要的技术路线包括：优化SiC/SiO2界面特性来提高电子沟道迁移率;通过新颖的元胞结构设计来提高单位面积内的沟道密度;提升工艺线宽控制来降低元胞尺寸从而增加元胞密度等。另外，还可以通过引入超级结(Super Junction)技术来降低耐压区(或者说漂移区)的电阻占比，这类技术改善对于中高压(1200V-10000V)SiC MOSFET而言也非常有价值。

瞻芯电子自主研发的SiC MOSFET平台采用了优化的SiO2/SiC界面钝化技术，以及紧凑的元胞尺寸设计，在平面型技术上达到了业界一流的Rsp水平。这些工艺的不断改进可以降低器件损耗，从而提高能源利用效率。

虽然第三代半导体有极优越的开关特性，但要使这种特性充分发挥出来，其封装和栅极驱动也很重要。漏极电压振荡、栅极驱动的正负尖峰和EMI是困扰第三代半导体往更高开关速度和更高效率推进的主要因素。因此，低漏感的封装，以及专用且具有恒dv/dt控制功能的栅极驱动芯片开发也是提升能源利用效率的关键。因此瞻芯电子开发了一系列栅极驱动芯片产品（IVCR140x, IVCR240x)。

Soitec CEO Paul Boudre

Soitec公司CEO Paul Boudre认为，通过优化晶圆，第三代半导体材料可以减少碳排放，这是功率电子的基石，其功率转换对电动汽车、电网和可再生能源的效率而言至关重要。Soitec专注于碳化硅新材料的研发，它是节能功率器件的重要基础。除传统SiC外，Soitec还通过开发SmartSiC尖端晶圆材料来不断提高行业标准。Soitec利用SmartSiC在多晶碳化硅的超低电阻率处理器上创建了基于SiC薄层的新一代优化衬底。

PI营销副总裁Doug Bailey

Power Integrations公司营销副总裁Doug Bailey认为，从效率、RDS(on)、开关速度、尺寸和热管理等方面来看，氮化镓是一种比硅更好的开关材料，许多终端产品最终都将使用氮化镓来替代硅器件。PI开发的EcoSmart芯片作为电源的大脑，不仅提供产品运行所需的电压和电流，而且还可以智能地管理电源流，即使在轻载下也能保持高效率。没有负载时，EcoSmart技术可有效关闭电源，使功率接近于零。据PI估计，迄今为止EcoSmart技术已节省近1500亿千瓦时的能源。

PI已经开发出更大功率、更高效的氮化镓开关InnoSwitch电源IC，并且已经用这些新器件升级了InnoSwitch-4和ClampZero产品系列。其中InnoSwitch4-CZ可提供高达220W的功率，效率超过95%，为可变输出电源的谐振变换器提供了一种更灵活、成本更低的替代方案。

此外，随着全球范围内新的能效法规开始生效，PI的BridgeSwitch BLDC(无刷直流)电机驱动器也开始被广泛采用。BridgeSwitch IC可使400W以内的无刷直流电机驱动应用中的逆变器转换效率达到98.5%以上，它所提供的优异效率和分布式散热架构可省去散热片，有助于降低系统成本和重量。

第三代半导体由于具有优异的效率水平，可在新能源汽车中发挥巨大作用。预计氮化镓开关最终将被用于许多高压电动汽车应用方案，但目前而言，SiC在新能源汽车应用中占主导地位。

充电方面，由于越来越多的充电桩建在交通方便但环境较复杂的商业区，这要求充电桩的体积小、充电速度快，而且抗水气和尘埃能力强。因此，高密、高压、高功率和高可靠设计是元器件供应商和整机厂家追求的指标。SiC是目前最好的耐高压且高效率的开关半导体材料，很合适高功率应用。高效的开关特性使充电桩模块的电路功率密度提高，腾出空间给独立风道，从而提高抗水气和尘埃能力。

车载方面，应用主要包括主驱逆变器、OBC、HVDC/12V DC/DC变换器，以及空调或氢燃料压缩机等。特斯拉Model 3率先将碳化硅应用于汽车主驱系统，主驱效率的提升带来了明显的系统效益(约省电池或增车程8-10%)。除优越的开关特性外，碳化硅的耐高压和高温特性也使它很合适车用要求，能适应汽车在高寒或高温下的复杂严峻工况。采用碳化硅器件也可以使OBC和DC/DC变换器的功率密度进一步得到提升，使体积和重量减小。对于800V系统，这种优势尤其突出。由于高速压缩器的使用，开关频率需成倍增加，硅基IGBT已难满足这种要求，目前来看碳化硅已成唯一选择。

Soitec在不断加大对SmartSiC技术的投入，因为其超低电阻率能够帮助晶圆片实现更好的性能和更高的表面质量和平整度，进而更好地提高良率。据Paul Boudre称，SmartSiC已经为SiC器件制造商创造了巨大的价值。在系统级别上，芯片可增加至40 mm2，从而进一步节省成本。基于SmartSiC技术的SiC器件能效更高，可用于电动汽车动力系统的牵引逆变器或车载充电器。

据瞻芯电子CTO叶忠称，目前瞻芯已有多款SiC器件推向汽车应用，其中17mOhm/1200V裸管芯已被国内多家车厂用于模块开发;17mOhm/1200V TO-247单管与比邻®驱动IVCR1412配套，也被用于大功率多管并联的电驱开发;比邻®驱动IVCR1401/1402则与80mOhm/1200V TO-247-4或80mOhm/1200V TO-247-3 SiC MOSFET配套用于车载OBC和空压机设计。

针对SiC驱动系统应用，Doug Bailey强调PI的SCALE iDriver门极驱动IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级，经过设定后可支持不同的门极驱动电压，以满足SiC-MOSFET的需求。其Fluxlink技术可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路，从而增强系统运行的可靠性，同时降低系统的复杂度。SCALE-iDriver IC已通过AEC-Q100汽车级认证，可在125°C结温下提供8A驱动，并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计。

除了传动系统，Innoswitch3器件还可用于牵引逆变器MOSFET或IGBT驱动器的30W应急电源(EPS)。在车辆行驶过程中，车载12V电池如果出现故障，EPS电源可使牵引逆变器继续工作。当发生故障时，InnoSwitch-3 IC直接从大功率电池母线上取电，该母线本身将被板载安全放电电路迅速降低到低于SELV 60V的阈值。为了提供额外的裕量，应急电源必须能够在400V电池母线电压降至约30V时继续正常工作。

PI正在开发新的基于氮化镓的元件，以应对从400V到800V母线系统的转变。这种提高母线电压的趋势具有明显的优势，包括缩短电池充电时间、提高驱动效率、降低铜成本，以及减轻牵引驱动的重量。这种改变还可让牵引电机具有更高的功率密度，这已经在高性能汽车及商用卡车/货车中得到了验证，这些车辆需要更高的加速度和更大的承载力。

半导体材料的更新换代将会为功率器件开关特性带来质的飞跃。可以这么说，几乎所有硅半导体的功率变换应用场合都适用于第三代半导体氮化镓和碳化硅。在低于650V的应用场合，氮化镓比较合适，而高于650V的应用碳化硅则比较合适。在650V级的应用中，氮化镓和碳化硅将并存。

氮化镓器件受限于目前2D的平面型结构及管芯面积，在高压和低导通电阻之间难以做到两全齐美，而且没有雪崩能力。因此，氮化镓目前的应用多集中在手机充电、服务器和网络通信设备电源、无线电发射，以及激光雷达等领域。在这类应用中，氮化镓主要是替代硅MOSFET。

垂直型碳化硅器件是三维的，由于电流的垂直流动，其漏端(Drain)不占据元胞面积，还可以通过加厚外延层来提高耐压。因此，碳化硅更合适高压和大电流应用，如太阳能逆变器、UPS、大电机驱动、固态变压器、智能电网、储能、工业高频加热、工业切割焊接、轨道交通、医用MRI/CT，以及军用声纳雷达电磁干扰等。在这类应用中，碳化硅主要是替代硅IGBT。

目前，无论碳化硅还是氮化镓，都还处于应用的初期。随着器件工艺技术的进一步成熟和成本降低，它们将有更广泛的用武之地，从而在双碳目标的实现中发挥更大价值。