2022下半年将量产8吋衬底，至2025年第三类功率半导体CAGR达48%

目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。

SiC适合高功率应用，如储能、风电、光伏、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业。其中，电动车备受市场关注，不过目前市售电动车所搭载的功率半导体多数为硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由于电动车电池动力系统逐步往800V以上的高电压发展，相较于Si，SiC在高压的系统中有更好的性能体现，有望逐步替代部分Si base设计，大幅提高汽车性能并优化整车架构，预估SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。

GaN适合高频率应用，包括通讯装置，以及用于手机、平板、笔电的快充。相较于传统快充，GaN快充拥有更大的功率密度，故充电速度更快，且体积更小便于携带，吸引不少OEM、ODM业者加入而开始高速发展，预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。

TrendForce集邦咨询特别提到，相较传统Si base，第三类功率半导体衬底制造难度较高且成本较为昂贵，目前在各大衬底供应商的开发下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能，并将在2022下半年量产8吋衬底，预期第三类功率半导体未来几年产值仍有成长的空间。