三星4nm工艺遇阻，欲大力投资3nm工艺弯道超车台积电，GAA技术是关键

据韩媒报道，近期三星电子正在筹备在平泽P3工厂建设3nm晶圆制造产线，计划在今年夏天引入相关设备。

市场消息称，由于三星电子在4nm制程良率低，正面临供需困境。高通将把第一代骁龙8的后继机型处理器交给台积电代工。

据悉，三星为了克服危机将大力推动3nm制程实现质的飞跃，争取在与台积电的竞争中抢先一步，知情人士称，三星电子将在今年下半年试产第一代3nm制程产品，并开始量产第二代3nm制程，明年将正式大规模量产3nm产品。

另一方面，台积电将原定于今年7月份量产计划推迟了几个月。而三星正欲通过加大投资力度，缩小与台积电的差距。

其中包括，三星在今年上半年将GAA（环绕式栅极技术晶体管）技术引入3nm制程工艺，相比7nm FinFET，功耗降低50%，芯片面积减少45%，性能可提升35%。