Soitec将建新厂生产创新的SiC衬底 支持12英寸SOI活动

据SemiconductorDigest报道，该工厂将使用Soitec专有的SmartCut™技术，在位于格勒诺布尔CEA-Leti的衬底创新中心生产由Soitec开发的创新SmartSiC衬底。

据悉，建立在这种衬底上的电子芯片为供电系统提供了引人注目的性能和能源效率收益。新一代SiC晶圆为工业应用和电动汽车增加了重要价值，可以扩大汽车的行驶范围，缩短充电时间，降低成本。凭借SmartSiC™产品，Soitec与主要的SiC器件制造商进行了合作，目标是在2023年下半年产生第一笔收入。

“我们预计到2030年，大约40%的新车将是电动的。我们独特、高性能、可持续和具有成本竞争力的SmartSiC解决方案解决了行业挑战，有助于优化能源效率，并将加速电动汽车的采用。”“这项投资对我们来说是一个重要的里程碑，因为SmartSiC将成为Soitec的另一个增长引擎，并推动汽车和工业市场的转型。”