台积电N3E工艺产品将提前量产

近日，有报道称，台积电即将完成原性能增强版N3工艺——N3E的开发，基于N3E工艺的产品将于2023年第二季度开始量产，较此前规划提早一个季度。据了解，N3是常规标准版本，N3E原本应该是性能增强版，原定于2024年量产，现转为精简版，N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，在减少4层EUV掩膜的情况下，投产难度将变低，逻辑电路密度较原先的N3工艺下降8%，较5纳米节点有60%的提升，而且N3E工艺试产良率远高于N3B工艺。

赛迪顾问集成电路产业研究中心高级分析师杨俊刚向《中国电子报》表示，得到的公开数据显示，目前台积电3nm制程主要有N3，N3E和N3B三个工艺节点，N3主要是台积电3nm制程的正常进度工艺，N3E按照原先的计划属于N3版本的升级版本或加强版本，原计划是在N3量产后一年推出，但也是受到良率的影响，对工艺技术进行了简化，良率和产出也都得到了提升，虽然性能不及N3，但是也比N5提升了较高，N3B目前得到的消息主要是指给特定客户提供服务。

对于台积电此次N3E的工艺进步可以提前量产，但性能无法达到预期，客户是否会保持购买热情的问题。杨俊刚认为，主要是看客户的需求，追求于高性能的需求的客户会更倾向于采用N3节点技术，但是对性能提升要求不是非常高的情况，可能会先采用N3E节点来抢占市场，在市场拔得头筹。N3E与N3B，不是用来代替N3，而是为客户提供更多选择。