歌尔领投，国产氮化镓外延龙头晶湛半导体再获投资！

今（3）日，晶湛半导体宣布完成B+轮数亿元战略融资。

本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。

晶湛半导体是一家提供GaN外延解决方案的专业外延代工商。在电力电子方面，主要提供各种不同尺寸硅晶圆上GaN HEMT外延片，广泛涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景，并能提供耗尽型（D-mode）与增强型（E-mode）两种外延结构。

在规模量产的质量管控方面，晶湛半导体通过优化AlN成核层及运用应力控制技术，确保了外延片优异的晶体质量，整片的耐压和平整度实现了均匀一致。

除了消费电子中常用的650V HEMT外延片产品外，晶湛也在推动GaN走向更大的电力电子应用空间。在高电压和大电流方面创新性地引入 Multi-Channel多沟道异质外延结构，通过若干个垂直集成的二维电子气（2DEG）通道，在保持高电子迁移率的同时增加沟道中的载流子密度，从而有效地降低了导通电阻和发热。

2021年至今，晶湛半导体动态连连。

研发方面

晶湛半导体最新研发的GaN器件击穿电压超过了10kV，“这是迄今为止全球最高值”。该器件的GaN外延结构是基于蓝宝石衬底，因此制备成本比SiC便宜2-3倍。晶湛半导体表示，这项突破有助于氮化镓打入电动汽车、电网和轨道交通等高压应用领域，具有广阔的潜力。

此外，晶湛半导体展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，这项新的技术突破为采用主流的12英寸CMOS生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路。

产能方面

11月，苏州工业园区管理委员会公示了晶湛半导体新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。据报告书，晶湛半导体将租用苏州纳米科技发展有限公司位于苏州纳米城西北区19栋的厂房，从事氮化镓电子材料和光电材料的研发。

项目拟投资28000万元进行异地扩建，在苏州工业园区百川街西、南荡田巷北自购土地建设新厂区，建成后年产氮化镓外延片24万片。其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器。

12月，晶湛半导体总部大楼奠基，标志着晶湛半导体产业化基地的正式启航。