三星急领先台积电量产3纳米 传IP准备可能不足

三星电子(Samsung Electronics)喊出领先台积电，率先量产3纳米GAA制程芯片，计划2022年上半完成与主要客户的产品设计暨品质验证。不过，最近韩国业界却传出消息，指三星迄今未获得充分3纳米设计资产(IP)，可能无法满足客户所有需求。

韩媒Theelec引述业界消息人士说法，三星虽打算领先台积电进入3纳米制程，不过IP库(IP Library)建构准备不足。对此说法，三星相关人士仅表示，3纳米量产正如期按计划进行中。

三星晶圆代工事业传为2022年上半进入3纳米GAA制程准备，与主要客户进行产品设计与量产品质测试，如果计划顺利，三星有望领先台积电，成为全球第一家挺进3奈GAA制程的晶圆代工业者，台积电则预计2022年下半进入3纳米制程。

然最近业界传出消息，指三星3纳米制程相关IP规模不足，能否满足客户所有需求令人担心；尽管IP并不直接影响良率及功能，但拥有IP数量不足，客户在设计许多高效芯片时，仍可能受到限制。

业界相关人士表示，三星3纳米制程的潜在客户，目前主要有高通(Qualcomm)、三星系统LSI事业部等，相较竞争对手，三星IP库准备明显不足。反观台积电一直积极建构IC设计暨上游IP生态系，据悉已完成相当数量IP注册。

另一方面，三星4纳米制程杂音不断，日前新一代旗舰智能手机Galaxy S22系列，传仅可能少量采用自家Exynos 2200处理器，引发业界高度关注。传三星内部正检讨Exynos 2200生产与搭载策略，以及晶圆代工生产良率等问题。

责任编辑：张兴民