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来源:芯榜发布时间:2022-02-161482浏览
询问 AI虎年新春伊始，杭州青山湖科技城传来佳音。由昕原半导体（杭州）有限公司（以下称“昕原半导体”）主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。
昕原半导体技术人员对中试线进行设备调试01 新型存储器“钱景”广阔在国家“十四五”规划纲要中，加强原创性引领性科技攻关方面，“先进存储技术升级”被列入“科技前沿领域攻关”重点领域。且根据世界权威半导体市场研究机构Yole Development统计，存储器总体市场空间将从2019年的1110亿美元增长至2025年的1850亿美元。目前，我国正在大力发展存储产业：一方面在传统存储器上努力实现追赶，如全力投入NAND Flash（Flash内存的一种）的长江存储和专注于DRAM（动态随机存取存储器最为常见的系统内存）的长鑫存储；另一方面也在提前布局新型存储器。随着万物智联时代的到来，应未来人工智能(AI)，智能汽车、人工智能与物联网（AIOT）及边缘计算(Edge Computing) 等高计算能力的需求，如DRAM、NAND等高容量存储器的闪存高耗电及速度问题已无法与时俱进。简单来说，DRAM能算不能存（断电后数据丢失），NAND Flash能存不能算（读写速度低），如果NAND+DRAM配合使用则会造成能耗过高，而另一常用存储器Nor Flash因存储密度低（存储量低），且无法嵌入28nm/22nm以下的工艺，很难在现有基础上实现性能的突破。在市场的迫切需求下，集高存储密度，高速，低功耗，能嵌入28nm以下工艺等于一身的新一代存储器的研发和生产，已势在必行。
昕原半导体技术人员对中试线进行设备调试“作为大陆首条28/22nm ReRAM12寸中试生产线，我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产，将极大带动我国新型存储行业发展。”昕原半导体相关负责人表示，“而在这一领域，目前国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现‘弯道超车’提供了可能。”新闻来源：芯榜，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
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