又3家企业获得投资，剑指第三代半导体！

壹

华为哈勃战投特思迪

据企查查信息显示，北京特思迪半导体设备有限公司（以下简称“特思迪”）于2月11日变更了工商信息，公司注册资本由1260万元变更为1400万元，股东新增华为哈勃。华为哈勃认缴出资约140万元，持有特思迪10%的股权。

特思迪成立于2020年3月，是一家半导体设备初创企业，专注于半导体领域高质量表面加工设备的研发、生产和销售，重点针对化合物半导体衬底材料、半导体器件、先进封装、MEMS等领域，提供减薄、抛光、CMP的系统解决方案和工艺设备。

在化合物半导体领域，特思迪拥有丰富的工艺经验和先进的设备制程技术，可提供碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟等化合物半导体衬底材料的减薄、研磨、抛光、贴蜡、刷洗设备和工艺解决方案。其中，衬底减薄抛光制程涉及的设备包括双面抛光机、单面抛光机、自动贴蜡机和自动清洗机。

目前，华为哈勃已累计投资了6家国产半导体设备厂商，其野心不言自明。而背靠华为哈勃的特思迪，今后将以更完善股东结构及更稳定的财务结构，进一步提升自主研发能力，推动国产化合物半导体设备产业攻关。

Source：拍信网

贰

中兵顺景投资博蓝特

2月14日，中兵顺景（中国兵器工业集团统一的资本运营与资产管理平台）官微宣布完成对浙江博蓝特半导体科技股份有限公司（以下简称“博蓝特”）的投资。本次融资后，博蓝特将在厦门市火炬高新区设立子公司（目前已完成工商注册），并建设第三代半导体研发中心及新增MEMS产业化封装线等业务。

博蓝特成立于2012年10月，主要从事新型半导体材料、器件及相关设备的研发和应用，产品涵盖PSS衬底、SiC衬底、光刻机改造设备，主要采用蓝宝石晶棒、SiC晶棒、蓝宝石平片、蓝宝石切割片等多种原材料。

在SiC衬底领域，博蓝特主要研究4/6英寸导电型SiC晶体生长技术与衬底及籽晶制备新工艺研发，产品主要应用于电力电子功率器件外延支撑衬底，终端应用则涵盖新能源汽车逆变器与充电桩、光伏逆变器、新基建中特高压输电、轨道交通等。

据介绍，博蓝特已成功制备了6英寸SiC衬底，并形成小批量供货能力。同时，其在PSS方面也已储备了6英寸生产的工艺技术。2019年，其SiC衬底开始形成销售收入，到2020年上半年，SiC衬底销售收入占总销售收入的比重为3.38%。

值得注意的是，博蓝特于2020年12月提交IPO申请，并于2021年8月终止申请。尽管IPO折戟，但本次顺利获得中兵顺景的投资，也说明了博蓝特的发展前景仍然受到资本市场的看好，未来是否重启IPO征程也将备受关注。

根据此前招股书显示，第三代半导体研发中心建设项目的建设将为博蓝特主营业务发展提供新产品研发的技术支撑，其中包括SiC、GaN衬底、外延制备、研发为代表的宽禁带半导体材料。随着资金能力的增强，博蓝特的项目有望稳步推进，从而推动研发实力和核心竞争力的逐步提升。

叁

清大海峡等7家单位战投吴越半导体

企查查显示，2月11日，无锡吴越半导体有限公司（以下简称“吴越半导体”）获得了海南启禾创业投资合伙企业（有限合伙）、无锡德扬管理咨询合伙企业（有限合伙）、清大海峡、达晨财智、乾道基金、龙鼎投资、新投集团七家单位的战略投资，股东结构进一步完善。

成立于2019年3月的吴越半导体是一家半导体研发与设计服务商，致力于半导体晶体、晶圆、芯片及器件的研发、生产、销售，以及半导体制造设备的设计研发与制造。目前，吴越半导体正专注于GaN自支撑衬底的研发、生产和销售。

虽创立不久，吴越半导体在第三代半导体市场已享有一定的知名度。2020年2月，吴越半导体GaN衬底及芯片制造项目签约落户无锡，总投资37亿元。该项目主要建设2-6英寸GaN自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。项目建成投产后，将打通从材料到芯片到器件的完整产业链，创造年30亿元的销售额。

2021年12月，吴越半导体在无锡举行GaN晶片出片仪式，并展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的GaN晶体，在业内引起了广泛的关注。另外，在本次仪式上，吴越半导体还获得了君联资本、新投集团签署的A轮融资。

如今，吴越半导体又赢得7家投资者的加持，从侧面反映了其在GaN材料领域的实力已不可小觑。基于此，吴越半导体在研发、生产方面将拥有更稳定的资金保障，有助于其顺利推进GaN衬底及芯片制造项目的建设与实施，助力提升无锡乃至国内第三代半导体GaN材料的自主研发能力和水平。