赛微电子：目前已签订千万级GaN外延片销售合同

2月10日，赛微电子在接受机构调研时表示，在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目(一期)的产能为1万片/年，目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付，公司既可以提供标准化产品，也可以根据境内外不同类型客户的需求提供定制化产品，不同规格产品的单价差异较大。

据悉，赛微电子正在陆续布局下游封测环节，公司不涉足MEMS设计，但不排除通过产业基金等方式对一些设计公司进行小比例投资，主要目的还是为了公司核心代工业务的发展。对于GaN业务，公司起初只是布局了属于轻资产性质的材料和设计环节，后来由于各种外部原因而被迫加强布局了制造环节，当然目前制造环节这块在上市公司体外，属于公司参股子公司。

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赛微电子目前的主营业务为MEMS和GaN,随着业务转型的完成以及业务自身的发展，该两项业务在2020及2021年在主营业务中的合计占比逐步提高，2020年接近90%，2021年超过了90%，截至目前的占比已超过95%。2021年上半年，由于北京FAB3尚未贡献收入，公司MEMS业务收入均来自于瑞典产线FAB1和FAB2。第三代半导体材料及芯片具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点，拥有广阔的替代及新生应用前景，行业整体属于初创期，同时基于GaN技术的芯片及材料应用案例已不断涌现，市场规模迅速增长。公司GaN业务已经历多年积累，目前虽然增速较高，但由于核心产能问题尚未解决，绝对金额数值仍较低。

在GaN器件设计方面，赛维电子产能主要受到供应方制造商产能的限制，目前在技术、应用及需求方面是没问题的，关键在产能供应端受限，在这方面公司也已对外签订了批量流片合同，努力缓解产能瓶颈问题。另一方面，公司间接参股的青州聚能国际半导体制造有限公司正在推进建设GaN 产线，希望能够尽快提供自主可控、全本土化的 GaN 制造能力。整体而言，公司还是非常看好GaN业务的发展前景。

由于瑞典产线近年来进行了大规模的升级扩产，在此状态 下的产线潜力尚未完全发挥，就目前情况来看，基于瑞典产线 本身的工艺中心定位和中试量产共同进行的混线特点，80%左 右的产能利用率已属于业内领先水平，随着大规模升级扩产工 作的完成，生产逐步稳定，瑞典产线的产能利用率在未来仍有 一定的提升空间。

目前，赛微电子北京FAB3二期产能(即合计2万片/月产能)的建设已经在进行中；北京FAB3属于从零开始，随着工艺制造水平的逐渐成熟，订单及客户需求的逐步增长，北京FAB3自2022年起的产能爬坡进度有可能加快。最近一个月的情况在当前时点尚不方便透露，但可以明确的是瑞典及北京产线的状况都是在逐步改善的。

据赛微电子透露，公司北京MEMS产线的建设总产能为3万片/月，一期产能已于2021年6月实现正式生产，目前已实现量产出货并持续进行产能爬坡；就产能规划而言，计划在2022年尽快实现一 期100%的产能，即产能达到月产1万片晶圆的水平；在 2024/2025年尽快实现3万片/月总产能的达产满产。目前， 公司北京FAB3二期产能(即合计2万片/月产能)的建设已经在进行中；北京FAB3属于从零开始，随着工艺制造水平的逐渐成熟，订单及客户需求的逐步增长，北京FAB3自2022年起的产能爬坡进度有可能加快。

在业务层面，赛微电子旗下不同产线可以开展正常商业合作，瑞典产线的工艺开发客户也可以将其晶圆制造阶段的订单导入北京产线执行。只是受瑞典ISP审查及否决决定的影响，不排除相关客户需要在FAB3重新经历工艺开发的过程。

在技术层面，在瑞典ISP不改变现有立场的情况下，瑞典工厂的工艺技术无法直接输送给北京FAB3产线，公司也因此调整了原有的“工艺-量产”分工路线，改为境内外芯片工厂体系都同时具备工艺开发与晶圆制造能力，均有能力独立导入客户并实现量产。若未来国际政经环境改善，公司将继续积极促进境内外产线之间的技术交流与合作。

来源： 集微网

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