Ⅱ-Ⅵ公司1200V SiC MOS通过汽车认证，并扩大与GE合作关系！

Ⅱ-Ⅵ与GE在2020年签署相关协议，获得其SiC器件及模块生产技术授权。随后，其完成对Ascatron（SiC外延及器件）和INNOViON（离子注入）收购，进而成为全球极少数的SiC垂直整合生产商之一。

再观老牌劲旅GE，其拥有强大的SiC专利实力，相关活动自2000年代末开始，重点在于SiC MOSFET的平面型器件架构，GE是该技术中最活跃的IP厂商，目前在全球拥有90多项已获授权的专利，其中包括该领域的许多关键专利。

II-VI期待依靠GE的IP实力迅速占领SiC功率市场，近年来持续扩产并兴建研发中心。另外，II-VI正不断扩大在华业务，其中包括2021年在福州亚洲区域总部正式建立了用于导电型SiC衬底的后段加工线，以及为了服务全球最大的电动汽车市场而在上海设立II-VI最大的技术和研发中心。