京都半导体推InGaAs雪崩光电二极体 填补瑞萨空缺

京都半导体（Kyoto Semiconductor）推出砷化铟镓（InGaAs）的雪崩光电二极管（APD）的新产品，持续在光半导体领域发展。日本的光半导体在瑞萨电子（Renesas）退出后，这个市场正由其他厂商补上。

京都半导体在2022年1月宣布，已研发出InGaAs APD，具有高感度、低噪、高倍率的特性，适合用于光纤网络部署时不可或缺的光时域反射仪（Optical Time Domain Reflectometer；OTDR）。预定2022年9月底量产。

随着数码化与5G逐渐发展，光纤网络铺设的需求正在增加，为了光纤铺设时能尽早发现异常状况，光时域反射仪使用的PAD，特别要求高感度与极低的暗电流。京都半导体新研发的InGaAs APD，在室温下电流倍增率为58，为该公司旧款产品2倍；暗电流则为2nA，只有之前产品的5分之1。

PC Watch、日经（Nikkei）等报导，APD市场原本由瑞萨电子的高品质产品占据，不过，瑞萨在2020年5月宣布退出半导体激光与光电二极管的业务，位于日本滋贺县的光半导体工厂也将停止生产。由于光半导体市场需求仍在，因此在大厂退出后，仍有其他中小规模专业厂商补上缺口。

例如滨松光子学（Hamamatsu Photonics）在2019年6月就表示要在日本静冈县滨松市的新贝工厂内兴建新厂房，以作为光半导体的主力工厂。新厂房于2020年8月完工，同年10月起运作。京都半导体也在2020年宣布，要在日本北海道的主力工厂惠庭事业所内，兴建光半导体的研发中心。京都半导体在2020年就推出InGaAs APD产品，可让数据传输系统透过PAM4编码调变技术，传输速度达到400 Gbps。滨松光子学与京都半导体，主力都集中在光通讯与光传感的光半导体领域。

富士奇美拉总研预估，被动光纤元件（Passive Optical Components）的全球市场规模，2025年将达到1,769亿日圆（15.5亿美元）。另外根据QYResearch的估计，InGaAs APD全球市场规模，2020年约1.85亿美元，2021~2027年间的年复合成长率（CAGR），将有6.99%，2027年将达2.94亿美元市场规模。

责任编辑：张兴民