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来源:芯片工艺技术发布时间:2022-01-14152浏览
询问 AI近日,由南方科技大学电子系、香港科技大学先进显示与光电子国家重点实验室、中科院苏州纳米所组成的联合攻关团队在深紫外Micro LED与超宽色域显示技术领域取得进展,相关结果发表于电子领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters。
基于AlGaN的深紫外Micro-LED在光电与显示、生物医学、大健康等领域备受瞩目。在本研究中,研发团队设计并制备了不同规格的深紫外Micro-LED阵列器件,像素尺寸从10×10 μm2 到200×200 μm2,其中10×10 μm2 的Deep-UV Micro LED在连续波发光情况下,最高亮度达到了185 W/cm2,最高外量子效率达到了3.43%,是目前同类型深紫外Micro LED器件的最高外量子效率。


此外,该研究采用深紫外Micro-LED阵列作为激发源,采用色转换的方法使三色量子点薄膜发光,达到了Rec. 2020标准121%(或为NTSC标准179%)的超宽色域,这是目前已知显示技术中报道的最宽色域值,展现了该技术在未来新型显示领域的应用中具有很大的潜力。

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2026-06-12