Magnachip宣布推出全新一代高压SJ MOSFET

Magnachip 宣布，该公司推出 11 款采用新一代高压 600V 超结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。

新的第 2.5 代 (2.5G) 600V SJ MOSFET 采用基于最新工艺技术的开发，与前几代相比，开关性能提高了 10% 以上。因此，Magnachip 实现了更低的开关损耗和更好的电源效率。对于需要高静电放电 (ESD) 耐用性的应用，齐纳二极管嵌入在栅极和源极之间，以避免外部浪涌或 ESD 损坏 MOSFET。

600V SJ MOSFET 的新产品系列涵盖190~580mOhm 的 Rds(on)（漏源导通电阻），并采用标准封装形式，例如 DPAK TO-220F 和 TO-220SF。因此，这些新的 2.5代产品可广泛应用于电视、照明基础设施、快速充电器、适配器、PC 电源和工业电源等产品和应用。它们也非常适合硬开关和软开关拓扑。

过去 10 年，Magnachip 一直在提供高性能 MOSFET。自2013年推出首款SJ MOSFET以来，累计出货量已达20亿片。Magnachip已将其目前的旗舰600V SJ MOSFET供应给电视制造商，巩固了其在SJ MOSFET市场的竞争优势。近期，韩国电视制造商通过发布高端机型来刺激需求，预计随着高端电视市场的增长，对 MOSFET 的需求将大幅增加。

该公司已经发布了产品样品，并计划于 2022 年 3 月开始量产。