南大光电：ArF 光刻胶在多个技术节点同时认证，尚未涉及 14nm 技术节点

1 月 7 日，南大光电在投资者互动平台表示，目前 ArF 光刻胶在多个技术节点同时认证，尚未涉及 14nm 技术节点。

南大光电还表示，目前公司 MO 源和电子特气产品订单处于饱和状态。ArF 光刻胶可以用于 90nm-14nm 技术节点的集成电路制造工艺。公司目前研发的产品包含干式光刻胶和浸没式光刻胶。

MO 源方面，公司除了在 MO 源 2.0 研发方面取得进展外，在高纯、低硅低氧三甲基铝方面加大研发力度，也取得了关键性的进展，为 MO 源业务从 LED 向 IC、新能源行业的升级转型奠定基础。前驱体方面，除了有客制产品的研发和产业化外，还要将去年从杜邦集团买入的硅前驱体专利进行研发和产业化，目前进展顺利。

电子特气方面，最新升级的超高纯砷烷产品品质在下游客户的测试中已超过目前国际先进同行的技术水平，超高纯磷烷产品进入国际一流制程的芯片企业，标志着公司氢类电子特气已跃居世界前列。混气方面的研发进展也比较好，正在积极应对新能源产业和半导体行业升级需求。

据悉，光刻胶业务品控设备方面，南大光电购买了一些检测设备，包括光刻机，也用于检测光刻胶，属于光刻性能的检测，这是质量管控的一部分。对于其他的像纯度、颗粒度检测这块，南大光电做的是特种电子材料，我们过去已经有很深的技术基础。人员配备方面，为了更好地与客户沟通，我们聘请了具备丰富经验的光刻工程师，来管理光刻胶的质量控制部分。光刻胶原材料方面，我们南大光电的强项就是做合成，所以具备合成单体的能力。部分单体在国内一些企业已经产业化了，不属于卡脖子的材料，我们直接购买国内的；对于一些特殊的、高技术含量的关键单体，由我们自己设计、合成制备。所以可以说，制备光刻胶的单体都已经实现了本土化。