台积电、三星正面交火2025 2奈公尺GAA重大节点拚超车？

台积电下时代重大制程节点3纳米将在2022年下半量产，并已取得苹果（Apple）与英特尔（Intel）大单，然而.台积电直言3纳米至2023年首季才会有看到明显营收贡献，也使得一直以来3纳米良率与出货量能杂音未能消除，恐将给了对手拉近差距机会。

对此，半导体业者表示，3纳米时代战局，台积电仍可持续称霸，不过到了2025年2纳米GAA时代，预计将是台积电与三星电子（Samsung Electronics）双雄再次正面交火关键时刻，台积电2纳米GAA将是首度导入，性能、良率一步到位难度不低。

随着联电、Globalfoundries（GF）退出先进制程竞赛，而中芯受制美方禁令且英特尔制程推进大延迟，7纳米以下战场成为三星与台积电对决情势，而由制程良率与性能、客户与接单表现来看，市场预估台积电在7/5纳米市占敢达9成，事实上，三星除自家与些许高通（Qualcomm）订单，NVIDIA RTX 30系列仅采报价低廉的8纳米制程，也就是台积电几乎独霸7/5纳米时代战场。

不过，台积电过去也曾一度落后三星多时，2007年苹果首款iPhone是采用三星ARM架构芯片，在苹果全力去三星化下，2010年苹果才开始与台积电合作，直至2014年iPhone 6时代才首度拿下且独吞A8芯片代工大单，而双雄差距则在2015年iPhone 6s时代开始拉开，A9芯片决战由台积电胜出，苹果iPhone系列订单就此由台积电包下，成为台积电至今可年年获利冲高，全力推进制程技术的关键所在。

不过，三星至今并未放弃，在集团与国家资源全力奥援下持续提速追赶中，台积电独霸地位恐难稳坐。

近期市场罕见频传较预定时程延后半年的3纳米，持续采用FinFET架构，但目前良率与性能爬坡表现意外不如预期，2022年下半年正式量产，也只是少量出货，且台积电也表示3纳米至2023年首季才会明显有营收贡献，诸多变量也让市场涌现台积电3纳米放缓，恐将给了三星超车机会。

据了解，三星近期不断释出赴美设厂与先进制程推进消息，其宣称相较于5纳米制程，首度采用多桥信道场效晶体管FET（MBCFET）的3纳米GAA节点，将使芯片面积缩减35%、性能提升30%且功耗降低50%。

除了优化功耗、性能和面积（PPA）外，随着制程技术成熟，3纳米技术良率已逐渐趋近于量产中的4纳米制程，预计2022年上半年将生产首批基于3纳米技术设计的芯片，而第二代的3纳米芯片则预计于2023年投入生产，此外，采用MBCFET技术的2纳米制程节点，现处于早期开发阶段，预计2025年投入量产。

半导体业者表示，三星3纳米GAA良率、性能仍未达预期目标，除了自家客户外，另以良品芯片（good die）报价优惠吸引高通采用，也就是三星依旧是赔钱抢客户，但据了解，三星3纳米GAA客户与产能甚少，主要是技术宣示意义大于一切，因此在2023~2025年3纳米时代期间，不会影响台积电既有客户与接单表现。

据了解，三星抢先发布3纳米GAA，但对比台积电3纳米FinFET，良率与性能等表现仍落后一大段，且国际芯片大厂转单代价高昂，因此用得起3纳米的大厂皆维持在台积电下单不变，且台积电还迎来回归的NVIDIA，以及英特尔新单，也就是因此在3纳米时代战局，台积电仍可持续称霸。

不过，到了2025年2纳米GAA时代，据了解这才是三星目标超车台积电关键点，届时台积电2纳米也将登场，将是自2015年以来，台积电击溃三星后，10年后双雄正面交火关键时刻。

由于三星3纳米GAA已练兵多时，且与IBM紧密合作，届时整体表现稳定度应会有明显提升，而台积电2纳米GAA则是首度导入，性能、良率一步到位难度不低。不过，半导体设备业者另透露，台积电3纳米推进表现低于预期，但2纳米GAA表现却是超标，有可能提前上阵分担3纳米重任。

责任编辑：陈奭璁