第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山：中国第三代半导体发展现状与趋势

2019年11月25日下午,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,并得到深圳市龙华区科技创新局特别支持。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会等大力支持。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。 
第三代半导体技术发展迅猛,全球产业处于起步阶段,已成为国际焦点,中国市场需求巨大。那么中国第三代半导体未来发展如何?第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山带来“中国第三代半导体的发展”的报告。

第三代半导体是支撑智能、绿色、可持续发展的关键技术。当前,国内外经济形势复杂、贸易纷争频发,半导体行业景气下滑,但第三代半导体产业逆势增长。第三代半导体应用领域扩张,细分领域渗透加速,市场规模可期。产品技术性能趋于稳定,规模化生产工艺成功接受市场考验,行业对技术的关注点从创新研发步入工业级技术改造阶段,第三代半导体技术逐渐成熟。资本进入热度不减,扩产和新建持续,产业生态不断完善。转“危“为”机”,贸易战背景下的国产替代加速。国内产值连年翻番,部分企业实现商业化盈利,第三代半导体产业成功跨越“技术泡沫期”,产业进入理性发展期。

产值逐年翻番,电力电子和射频规模超过60亿。5G商业化迅猛推进,引爆GaN微波射频市场,氮化镓器件成为5G通信基站射频的主流技术。未来五年,下游5G基础设施的增长将带来近400亿的GaN射频器件市场需求。GaN射频器件具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是硅和砷化镓射频器件的换代产品。氮化镓器件成为5G通信基站射频的主流技术,未来五年,我国GaN射频器件应用市场快速增长,预计2019-2024年期间,我国GaN射频器件市场将保持43%年度增长率;2023年市场规模将超过310亿元。

汽车半导体应用取得实质性进展,快充市场应用逐步推进。未来五年,我国第三代半导体电力电子器件应用市场快速增长。2024年我国电力电子器件应用市场规模预计达到200亿元,未来5年增速将接近40%。与此同时,工业化技术逐步稳定,产品商业化持续推进。产品价格逐渐进入甜蜜点,应用渗透加速。区域性产业集群正在快速成型,资本不断进入,扩产和新建持续。

看未来,以新能源汽车、光伏逆变器和电源应用为牵引,带动了SiC电力电子产业的发展,也推动国际SiC单晶衬底由4英寸向6英寸转移,SiC产业链不断完善,产业化程度提高;随着中国、欧洲、日本、美国启动5G应用,5G射频技术带动了微波射频产业的快速发展,促使高纯半绝缘SiC单晶衬底以及相应的外延和芯片工艺快速产业化;受中美贸易战的影响,中国LED产业未达增长预期,但不断成长的光与健康、医疗、环境等应用,为产业发展拓展了更大的空间。一些具有战略眼光的企业已在布局Mini-LED、Micro-LED等新一代显示产业。

目前,联盟推动协同创新体系和产业生态的完善,全链条部署一体化实施、形成合力的发展战略,组建标准化委员会,启动制定团体标准。于坤山表示,在中国,产业技术创新战略联盟是一件新事物,特别是在产业发展的早期,其协助政府部门开展顶层设计、优化产业布局,联合产学研协同突破制约产业发展的技术瓶颈,联合政府、产学研和资本共同建设以产业集聚为特征的产业基地等方面发挥着独特的作用,是一只推动创新性产业不断走向成熟和发展的重要力量。