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来源:电子创新网发布时间:2021-12-22915浏览
询问 AI近日,杭州国家“芯火”平台宣布,其第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生,命名“杭州芯火壹号”HX001。
该芯片由杭州国家“芯火”双创平台、浙江大学微纳电子学院协同开发完成,其中阻变器件选择插层结构,采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置。
制备Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构,可有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。
具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作,从而有效提高忆阻器的窗口,存储窗口可大于106,并减少了对器件的后端集成。
同时,采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2,大大提高了阻变器件的集成密度。

经过功能和性能检测,HX001芯片的工作电压小于5V;所读取的忆阻器阻值窗口远大于106;在150℃环境下,分别在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s时加约0.1V小电压,对忆阻器进行数据保持特性测试,忆阻器均能保持电阻阻值稳定。
根据模型外推,忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上,忆阻器单元面积小于40F2。
目前,HX001芯片已经多家单位评测试用,用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性,优于市场同类产品,具有较好的市场应用前景。
项目已申请一项国家发明专利。

科普:什么是忆阻器?
忆阻器(Memoristor)是表示磁通与电荷关系的电路器件。阻变式存储器(RRAM)是以非导性材料的电阻在外加电场作用下,在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。
作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件,忆阻器的电阻会随外加电压的高低而变化。
RRAM将比闪存更快记忆信息,消耗更少电力,占用更少空间。

国内5G手机市场现状:华为市占率超30% 仍排第一
华为的5G手机遭到针对后,导致华为目前只能销售4G手机。但即便如此,华为在5G手机市场的市场占有率仍然是第一。12月21日消息,根据相关机构公布的数据,今年三季度,5G手机市场占有率最高的还是华为(30.7%);排在第二的是vivo(16.1%),与华为相比还有一段距离;第三名是OPPO(14.6%),与vivo相差不大;接着是苹果(12.5%)、小米(10.5%)、荣耀(9.7%)、realme(2.7%)、一加(1.1%)和三星(0.9%)。

相关数据(图源:微博)
从上述数据来看,该机构统计的范围应该是国内的5G手机市场。早在5G手机普及之前,华为就已经推出了很多5G手机,其销量一度占据国内手机市场几乎一半的份额。但从华为P50系列开始,华为的5G手机业务几乎中断,只能销售4G手机。

相关数据(图源:微博)
从具体机型也能看出,华为5G手机在这一市场的分量。根据同一机构统计的数据,在三季度5G手机TOP20中,华为5G手机占了一半多。其中华为nova 7、华为P40 Pro、华为Mate30等5G手机市占率比较高。
近日,埃森哲与亚马逊云科技宣布将持续深化合作关系,在未来五年内加强技术方案共建,以埃森哲亚马逊云科技事业部为载体,帮助各行各业的客户通过持续、无缝地用云,加速数字化转型,全面释放创新价值。
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摩尔线程加入元脑生态 以算力创新助力产业AI化近日,摩尔线程与浪潮在京签署元脑战略合作协议。摩尔线程与浪潮将发挥各自在技术、生态和产业等方面的领先优势,基于创新算力芯片和元脑生态平台展开多维和深度合作,联手开发领先的人工智能行业解决方案,共建共享开放包容生态体系,以生态合力助推中国产业AI化。
几维通信采用比科奇5G NR物理层芯片5G O-RAN基带半导体及软件行业专业企业比科奇宣布:专注于小基站产品研发的公司几维通信已确定将在其新的5G小基站产品中采用比科奇PC802芯片。几维通信通过引入比科奇的芯片及5G物理层软件,来加速其小基站产品的开发及推向市场。
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