立昂微：海宁基地有36万片/年的射频芯片产品布局

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国产砷化镓工艺发展现状解析

从 20 世纪 50 年代开始，人们已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法 (LEC) 、水平布里其曼法 (HB) 、垂直布里其曼法 (VB) 以及垂直梯度凝固法 (VGF) 等。

目前，生产砷化镓衬底材料的厂商主要集中在日本、德国、美国和中国。但砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等个别国际大公司手中，与国外公司相比，国内企业在砷化镓生产技术方面还有较大差距。砷化镓最前沿的成果是 Φ8” 单晶，由德国 Freiberger 分别采用 LEC 和 VGF 方法研制出。目前，国际上商用水平最大直径的砷化镓是 Φ6” 单晶。

砷化镓单晶生长主流的方法有 4 种。HB 方法最大能生长 Φ3” 单晶，该方法的应用市场规模小，但近几年较稳定。LEC 方法可生长 Φ4”和 Φ6” 半绝缘砷化镓，近几年用量越来越少。近两年发展较快的是 VGF 或 VB 方法，已经成为砷化镓材料最主流的技术。

国内几家公司的 4 英寸、6 英寸 GaAs 生产线纷纷开工，这些公司都将逐渐转入大直径砷化镓晶片生产。虽然国内 Φ2”砷化镓 LED 外延产线将长期存在，但用量将减少，逐渐转变为以 Φ4” 平台为主。