安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信

　　2021年12月8日―领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，发布新的600 V SUPERFET(V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

　　600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI），这对服务器和电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的VGSS（DC(30 V）增强了系统可靠性。

　　安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说：“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标，要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%，在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求，提供强固的方案，确保持续的系统可靠性。”

　　FAST版本在硬开关拓扑结构（如高端PFC）中提供极高能效，并经过优化以提供更低的门极电荷（Qg）和EOSS损耗，实现快速开关。该版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 m(RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 m(RDS(on)），都采用TO-247封装。NTP185N60S5H则采用TO-220封装，NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封装，保证达到湿度敏感等级MSL 1，并具有开尔文(Kelvin)源架构以改善门极噪声和开关损耗。

　　Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构，包含一个内置门极电阻（Rg）及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途，包括PFC和LLC。在这些器件中，门极和源极之间的内置齐纳二极管的RDS(on)超过120 m(，对门极氧化物的应力更小，ESD耐用性更高，从而提高封装产量，降低不良率。目前供应的两款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)为99 m(和120 m(，均采用TO-247封装。