长光华芯科创板获受理，拟募资13.48亿元

6月24日，上交所新增受理4家企业的科创板上市申请，其中包括苏州长光华芯光电技术股份有限公司。华泰联合证券为其保荐机构，拟募资13．48亿元，募资投资项目如下图所示。

长光华芯主要致力于高功率半导体激光器芯片、高速光通信半导体激光芯片、高效率半导体激光雷达芯片及相关光电器件和应用系统的研发生产和销售。产品广泛应用于工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学及美容、高速光通信、机器视觉与传感等。

正处于快速成长期，研发投入大

据长光华芯招股说明书（申报稿）显示，2018年、2019年及2020年，公司归属于母公司股东净利润分别为－1439.57万元、－12889.02万元和5.39万元，扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润分别为－2865.82万元、－1792.17万元和－1063.21万元，报告期内扣非归母净利润为负但亏损金额逐年下降。

长光华芯处于行业上游的芯片领域，属于高研发投入领域。报告期内公司扣非归母净利润为负，主要是由于公司目前仍处于快速成长阶段，业绩规模相对较小，而业务利润不足以覆盖以研发费用为主的期间费用所致。2021年1季度，公司归属于母公司股东的净利润为2124.82万元，扣除非经常性损益后归属于母股东的净利润为1442.33万元，已实现扭亏为盈。

专注于半导体激光芯片，逐步实现国产化及进口替代

经过持续的研发投入，长光华芯紧跟下游市场发展趋势，不断创新生产工艺，布局产品线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。

具体到主要产品来看，包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等。目前，公司半导体激光单管芯片可实现30 W的高功率激光输出，半导体激光巴条芯片可实现50－250 W的连续激光输出及500－1000 W的准连续激光输出，产品性能指标居于国内领先、国际先进水平。

图片来源：长光华芯官网

从应用领域来看，公司产品的下游客户包括锐科激光、创鑫激光、大族激光、飞博激光等主流的激光器厂商。公司半导体激光芯片系列产品具有高功率、高效率、高可靠性特点，逐步实现了高功率半导体激光芯片的国产化及进口替代，是工业激光器的核心器件，助力高功率激光技术的创新发展。

在国家战略高技术及科研领域，公司的高功率巴条系列产品可实现连续（CW）50－250 W激光输出，准连续脉冲（QCW）500－1000 W激光输出，电光转换效率63％以上，广泛应用于固态激光器、碱金属激光器的研制等，已服务于多家国家级骨干单位。

此外，公司研发的面发射高效率VCSEL系列产品已通过相关客户的工艺认证，目前已获得相关客户VCSEL芯片量产订单，产品应用领域扩展至激光雷达及3D传感领域。

覆盖全流程工艺，突破关键技术

芯片领域涉及到芯片设计、外延、光刻、解理／镀膜、封装测试、光纤耦合等，目前长光华芯已完成建成覆盖这些步骤的IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。

凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，长光华芯构建了GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）两大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术平台，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品，横向扩展VCSEL芯片及光通信芯片领域。公司核心技术包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术及高亮度合束及光纤耦合技术等。

在外延方面，公司通过非对称的波导结构设计，解决了一次外延技术的难点。并且率先提出并采用分布式载流子注入技术，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。

长光华芯采用腔面钝化处理技术率先提出自主创新的腔面钝化及窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。

芯片对高科技领域的重要性不言而喻，未来长光华芯未来将继续专注于半导体激光行业，结合公司在激光芯片、器件及模块、VCSEL、光通信芯片等横向、 纵向产业布局形成的综合服务能力，不断提升公司在国内及国际市场的竞争力。