单片机的系统扩展数据读写实验介绍

一、实验目的
    1、学习片外存贮器扩展方法。
    2、学习数据存贮器不同的读写方法。
    3、学习片外程序存贮器的读方法。
二、实验内容
1.实验原理图：

 
2、实验内容
    （1）使用一片2764EPROM，作为片外扩展的程序存贮器，对其进行读。
    （2）使用一片6264RAM，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。
3、实验说明
    （1）在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时，由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器，因此DVCC系统必须处于仿真2状态，即“H.....”态，用MEM键即可读出。
    （2）在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时，由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器，因此DVCC系统处于仿真1态(“P.....”态)或仿真2态(“H.....”态)，用ODRW键即可读写。
    （3）读写数据的选用。
    本实验采用的是55H(0101，0101)与AAH(1010，1010)，一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
    （4）在仿真1态即“P.....”状态下，编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若L1灯闪动说明RAM读写正常。
三、程序
程序清单：
        ORG   0C80H
        MOV        DPTR,#8000H
        MOV        R6,#0FH
        MOV        A,#55H
RAM1:  MOV        R7,#0FFH
RAM2:  MOVX  @DPTR,A
        CLR   P1.0
        INC   DPTR
        DJNZ        R7,RAM2
        DJNZ        R6,RAM1
        MOV DPTR,#8000H
        MOV R6,#0FH
RAM3:  MOV R7,#0FFH
RAM4:  MOVX       A,@DPTR
        CJNE A,#55H,RAM6
        SETB P1.0
        INC    DPTR
        DJNZ R7,RAM4
        DJNZ R6,RAM3
RAM5:  CLR    P1.0
        CALL  DELAY
        SETB P1.0
        CALL        DELAY
        SJMP RAM5
DELAY:       MOV    R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
        DJNZ R4,$
        DJNZ R5,DELAY1
        RET
RAM6:  SETB P1.0
        SJMP RAM6
        END
四、实验步骤
    1、片外扩展程序存贮器的读。
      (1)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS2区XD0—XD7，同样用排线将A0—A7连到BUS1区XA0—XA7，A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。
      (2)PGM插孔连到+5V插孔。
      (3)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。
      (4)OE插孔连到BUS3区XPSEN插孔。
      (5)在DVCC系统处于“P?”状态下，按F1键进入仿真2态(“H.....”状态)。
      (6)输入四位程序存贮器地址8000后按MEM键读出2764中的内容。
    2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令)
      (1)取出RAM/EPROM区中的实验监控，再插上数据存贮器6264。
      (2)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS1区XD0—XD7，A0—A7连到BUS1区XA0—XA7，A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。
      (3)WE插孔与BUS3区XWR相连。
      (4)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。
      (5)OE插孔连到BUS3区XRD插孔。
      (6)CS2插孔与+5V插孔相连。
      (7)在DVCC系统处于“P?”状态下，按F2键进入仿真1态(即“P.....”)或按F1键进入仿真1态(即“P.....”)。
      (8)输入四位地址8000后按ODRW键可读写6264中的内容。
    3、片外数据存贮器的读写(用程序)
步骤同上①—⑥。
      (7)按框图编制程序，在上位机上进行编译，链接形成Hex(或ABS)最终目标文件，然后传送到DVCC实验系统仿真RAM区中。
(8)在“P?”状态下，按F2键，进入仿真1态(“P.....”)，从起始地址0C80H开始连续运行程序。对6264进行读写。若L1灯闪动，表示6264 RAM读写正常。