长电科技VS通富：封装技术对比

1、全球集成电路封装竞争格局：长电科技和通富微电为全球龙头企业

根据Chip Insight统计，2020年全球前十大封测厂商排名和2019年基本一致，但是较2019年产业集中度进一步加剧，前十大封测公司的收入占全球封测总营收的84.0%，相比2019年的83.6%增加了0.4个百分点。据总部所在地划分，前十大封测公司中，中国台湾有五家(日月光ASE、力成科技PTI、京元电子KYEC、南茂ChipMOS、欣邦Chipbond)，市占率为46.26%;中国大陆有三家(长电科技JCET、通富微电TF、华天科技HUATIAN)，市占率为20.94%，较2019年的19.90%增长1.04个百分点;美国仅有一家(安靠Amkor)，市占率为14.62%;新加坡一家(联合科技UTAC)，市占率为2.15%。因此，本文遴选长电科技和通富微电两大企业进行全球集成电路封装专利技术上的布局对比。

2、长电科技 V.S.通富微电集成电路封装技术布局对比
(1)专利申请量及PCT申请量对比：通富微电遥遥领先于长电科技
不过，在集成电路封装专利申请量方面，通富微电集成电路封装专利申请总量是长电科技集成电路封装专利申请量的1.9倍左右，分别为168项和90项。截至2021年10月二者暂无集成电路封装PCT专利申请。

从趋势上看，2011-2015年，通富微电在集成电路封装领域专利申请量每年比长电科技多，随后二者专利申请量交替领先。2020年两者集成电路封装专利申请量相差高达8倍左右，分别为33项和4项。2021年1-10月，通富微电集成电路封装专利申请量为4项，长电科技暂未申请集成电路封装专利。

(2)专利市场价值对比：通富微电专利市场价值更高
通富微电集成电路封装专利总价值为1054.81万美元，长电科技集成电路封装专利总价值为492.58万美元，通富微电集成电路封装专利总价值显著高于长电科技。在专利价值分布方面，二者专利价值主要集中在3万美元以下。

(3)专利申请地域对比：中国为两者主要布局区域
目前，通富微电和长电科技的集成电路封装专利申请区域主要集中在中国，两者在中国申请的集成电路封装专利数量分别为153项和85项。美国是两者集成电路封装专利申请的第二大地区，两者在美国的集成电路封装专利申请数量分别为19项和2项。

统计口径说明：按每件申请显示一个公开文本的去重规则进行统计，并选择公开日最新的文本计算。
(4)专利类型对比：两者以发明专利为主
通富微电和长电科技集成电路封装专利申请类型以发明专利为主。长电科技有49项集成电路封装专利为发明专利;通富微电有29项集成电路封装专利为实用新型专利，其它均为发明专利。

(5)专利技术构成对比：两者布局的第一大细分领域有明显差异
目前，“专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕”为通富微电的第一大集成电路封装技术细分分布领域;“半导体或其他固态器件的零部件(H01L25/00优先)〔2，5〕”为长电科技的第一大集成电路封装技术细分分布领域。二者在各自第一大领域的专利申请量分别为104项和63项。两者其它重点细分集成电路封装技术布局情况如下：

从集成电路封装专利聚焦的领域看，目前长电科技的集成电路封装专利聚焦领域较明显，其主要聚焦于半导体、封装结构等。

(6)重点专利布局对比：通富微电重点布局的专利家族规模较多
在重点专利布局上，长电科技重点布局的专利为“一种凹槽基板的电磁屏蔽模组封装结构”，该项专利被引用次数8次，专利家族规模为1项。通富微电重点布局的专利为“半导体封装结构及其形成方法”，该项专利被引用次数8次，专利家族规模为2项。整体来看，通富微电重点布局的专利在专利家族规模上较长电科技有一定优势。
注：①当分析偏好选择为[所有搜索结果(不分组)]、[每件申请显示一个公开文本]和[每组PatSnap同族一个专利代表]时，此图表专利家族使用PatSnap同族，并选择公开日最新的文本计算。②分析偏好选择[每组简单同族一个专利代表]、[每组INPADOC同族一个专利代表]时，此图表专利家族使用设置的去重方式，并选择公开日最新的文本计算。
(7)专利创新战略总结
整体来看，长电科技集成电路封装技术在市场推动具有相对竞争优势，通富微电集成电路封装技术则在数量增长、合作性、学术驱动、国际化、多样化和质量提升上具有相对竞争优势。两者集成电路封装技术在专业化方面相当。

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