14.5亿！又一家上市公司瞄准第三代半导体

11月11日，新洁能发布公告，拟定增募资不超过14.5亿元，用于第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）的研发及产业化、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化等。

新洁能深耕功率半导体领域，目前已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域。

据新洁能公告，公司是国内率先掌握超结理论技术，量产屏蔽栅功率MOSFET 及超结功率 MOSFET的企业之一，并且是国内最早在12 英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业之一。