异质结非晶硅接触层的损耗机制被发现，有望提高效率

在PERC电池成为主流后，经过大规模量产和政策支持，光伏在全球大部分地区都进入了平价时代。但如果想要继续保持高速增长，光伏还需要更强的竞争力，才能让更多企业抛弃传统能源发电的方式，转向光伏的怀抱。降本增效就成为了重要课题。

在未来的太阳能电池技术中，异质结电池是被寄予厚望的一种技术，其转换效率上限比PERC电池技术要高很多，同时只需要4道工序就可制作完成。简单来说，就是在硅片的其中一面刷上、非晶N层、透明导电薄膜和导电极；另一面刷上非晶I层、非晶P层、透明导电薄膜和导电极，较为简单。

而PERC电池技术则有8道工序，因此异质结电池的优势比较明显，如果能解决设备国产化和低温银浆的成本问题，日后很大的发展前景。

近日，科学家用超高真空导电原子力显微镜（cAFM），发现了硅太阳能电池中非晶硅接触层的损耗机制。也即是上面提到的异质结电池四层工艺中材料的损耗机制，有利于帮助研发团队更好的利用非晶硅接触层，提高转换效率，在理想情况下，甚至可比PERC电池技术要高10％。

因此，本次科学家的发现对于异质结电池的发展有重大意义，或能加快异质结电池的大规模应用进程。