三星将加大MLC闪存产量比例

　　三星半导体事业部高级副总裁II Ung Kim在4月14日的电话会议中讲道，基于多级单元（Multi-Level Cell，MLC）工艺，三星打算增加其NAND flash产量的比例，从今年第一季度的大约25％增长到今年底的多于50％。

　　Kim说，三星生产的NAND flash是基于MLC结构，第一季度比例是26％，这个比例在第二季度将稳定的增长到30％。并表示，在2006年底，MLC NAND的比例将更进一步增长以超过全部NAND产量的一半之多，比例将达到35－40％。

　　三星将发展NAND到更高的密度和更先进的生产点。

　　公司将着手大规模生产60nm的8GbitNAND，并且在第二季度，数百万8Gbit MLC－made NAND的闪光部件，将会被延期。

　　除此以外在第二季度三星将继续提高采用70纳米工艺生产的NAND型闪存芯片的产量。

　　根据SLC上MLC-made NAND的利益成本，对行业内企业来讲，转换到MLC是不可避免的。

　　然而，尽管三星在全部NAND闪光市场上占有支配性的优势，然而东芝已经取得了MLC产品方面的领导地位。

　　东芝依然是MLC存储密度方面的市场领导者。在2006年1月公司宣布以70纳米多级单元工艺生产出具有16G容量的NAND型闪存芯片。