NEC开发55纳米CMOS 采用ArF曝光技术

　　MOSFET栅绝缘膜材料采用了HfSiON。实际氧化膜厚度(EOT：effective oxide thickness)为1.85纳米。通过采用high-k材料，可利用栅电极的工作函数控制阈值电压。过去，则利用通道部分的杂质浓度控制阈值电压。此时，在设置了高阈值电压的低耗电MOS FET中需要较高的杂质浓度，而由于载流子会受到杂质散射的影响，因此难以提高导通电流。通道部分的硅膜应力是利用STI(shallow trench isolation，浅沟道电离)、侧壁以及栅极正上方的SiN膜的形成工艺产生的。

　　通过上述2项措施，与65纳米工艺MOSFET相比，nMOS和pMOS下分别将导通电流提高了22%和31%。在1.2V电压下工作时，在截止电流为20pA/μm的条件下，nMOS和pMOS的导通电流分别为525μA/μm和295μA/μm。在截止电流为3nA/μm的条件下，nMOS和pMOS的导通电流则分别为780μA/μm和400μA/μm。