东芝晨碟签署谅解备忘录 合建300毫米晶圆厂
来源:比特网发布时间:2008-02-25154浏览
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目前二个公司正在日本选择新工厂的地址,预期新的工厂将从2009年开始构建,2010年开始制造产品。双方希望合资交易能够巩固它们在全球储存市场的地位,并满足未来NAND闪存芯片的需求。
在协议条款下,新工厂一半产品将分配给新的合资公司,在其余的产品中,一半归东芝支配,另一半提供给晨碟给注于代工生产。
东芝半导体首席执行官Shozo Saito表示,未来数年内NAND闪存将面临迅速增长并扩展到新的应用中,在闪存产品的开发和制造中我们将进一步强化与晨碟的合作伙伴关系。
晨碟主席兼首席执行官Eli Harari表示,合资能够帮助我们减少新工厂设备的资本支出,减轻现金投资的负担。
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